Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
PMBT2222AYSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double NPN Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6NPNDual40 V75 V6 V1 V800 mA300 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT2907AYSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 60V Double PNP Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6PNPDual- 40 V- 60 V- 5 V- 1.6 V- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT4401YSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double NPN Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6NPNDual40 V60 V6 V750 mV800 mA250 MHz- 55 C+ 150 C
PMBT4403YSXNexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V Double PNP Switching TransistorНетSiSMD/SMTTSOP-6PNPDual- 40 V- 40 V- 5 V- 750 mV- 800 mA200 MHz- 55 C+ 150 C
PMSTA56/8XNexperiaБиполярные транзисторы - BJT PMSTA56/8/SOT323/SC-70ДаSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 80 V- 80 V- 5 V- 250 mV- 500 mA50 MHz- 65 C+ 150 C
BC337-16 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 50V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC337-16
BC337-25 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 50V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC337-25
BC337-40 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 50V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC337-40
BC338-16 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC338-16
BC338-25 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC338-25
BC338-40 B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.8A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V30 V5 V0.7 V1000 mA100 MHz- 55 C+ 150 CBC338-40
BC546A B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 80V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle65 V80 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC546A
BC546B B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 80V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle65 V80 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC546B
BC546C B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 80V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle65 V80 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC546C
BC547C B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 50V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC547C
BC548A B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC548A
BC548B B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC548B
BC548C B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC548C
BC549A B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC549A
BC549B B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC549B
BC549C B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 30V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC549C
BC550A B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 45V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC550A
BC550B B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 45V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC550B
BC550C B1GTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TO-92, 45V 0.1A NPN Bplr TransНетSiThrough HoleTO-92-3NPNSingle45 V50 V6 V-200 mA-- 65 C+ 150 CBC550C
BC807-16 RFTaiwan SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Transistor 300mWНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 45 V- 50 V- 5 V- 0.7 V- 0.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CBC807-xx

Страницы