Поиск элементов в базе
По вашему запросу "HGTG30N60B3D" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| HGTG30N60B3DNL Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series |
Fairchild Semiconductor |  |
 |
138 20-25 дней |
| HGTG30N60B3D_NL Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series |
Fairchild Semiconductor |  |
|
162 20-25 дней |
| HGTG30N60B3D Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel |
Fairchild Semiconductor |  |
|
11138 20-25 дней |
| HGTG30N60B3D_Q Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel |
Fairchild Semiconductor |  |
|
от 21-27 |
| HGTG30N60B3D_04 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
Fairchild Semiconductor |  |
|
от 21-27 |
| HGTG30N60B3D.. The HGTG30N60B3D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |  |
|
8618 20-25 дней |
