Поиск элементов в базе
По вашему запросу "APT30GP60BDQ1G" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| APT30GP60BDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
Microsemi Power Products Group |  |
 |
4868 20-25 дней |
| APT30GP60BDQ1G The Power MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switch mode power supplies. |
Microsemi |  |
|
от 21-27 |
| APT30GP60BDQ1G IGBT 600V 100A 463W TO247 |
Microsemi Corporation | |
|
7715 20-25 дней |
