Поиск элементов в базе
По вашему запросу "APT200GN60B2G" найдены следующие совпадения:
В базе элементов:
*для запроса элемента кликните по партномеру
| Партномер | Производитель | Изобр. | Datasheet | Склад |
|---|---|---|---|---|
| APT200GN60B2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single |
Microsemi Power Products Group |  |
 |
2821 20-25 дней |
| APT200GN60B2G Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribut |
Microsemi |  |
|
от 21-27 |
| APT200GN60B2G IGBT 600V 283A 682W TO247 |
Microsemi Corporation | |
|
4030 20-25 дней |
