Всего результатов: 800
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRF141G | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF151 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF151G | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF154 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF157 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF173 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF314 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF422 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF426 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
MRF492 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
SD2933 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ МОП-транзисторы RF Transistor | Нет | Si | Tray | ||||||||||||
IXZ2210N50L2 | IXYS | РЧ МОП-транзисторы IXZ2210N50L2 10A 500V N Channel Dual ZMOS Linear MOSFET | Нет | Dual N-Channel | Si | 10 A | 500 V | 1 Ohms | 270 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | SMD-8 | Tube | |||
A2T08VD021NT1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 80 mA | - 500 mV, 105 V | 19.1 dB | 2 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | PQFN-24 | Cut Tape, Reel | |||
A2T21H140-24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1 A | - 500 mV, 65 V | 17.4 dB | 36 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Cut Tape, Reel | |||
A2T21H141W24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V | Да | Dual N-Channel | Si | 1 A | - 500 mV, 65 V | 17.2 dB | 36 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Reel | |||
A2T21H360-23NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.4 A | - 500 mV, 5 V | 16.8 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | Reel | |||
A2T23H200W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.8 A | - 500 mV, 65 V | 15.5 dB | 51 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4 | Cut Tape, Reel | |||
A2V07H400-04NR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.1 A | - 500 mV, 105 V | 19.9 dB | 107 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-4L | Reel | |||
A2V07H525-04NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 17.5 dB | 120 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L | Reel | |||
A3G18H500-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 200 mA | 125 V | 15.4 dB | 107 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L | Reel | |||
A3G22H400-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V | Нет | Dual N-Channel | GaN | 29.7 mA | 150 V | 15.3 dB | 79 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Reel | |||
A3G35H100-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 8.04 mA | 125 V | 14 dB | 14 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H360W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.4 A | - 500 mV, 65 V | 16.6 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H400W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.2 A | - 500 mV, 65 V | 16.8 dB | 71 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 16.7 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »