Всего результатов: 194
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CE3512K2-C1 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | Нет | Si | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||||||
CE3520K3 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | Нет | GaAs | Bulk | |||||||||||||||
CE3520K3-C1 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | Нет | Si | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||||||
CE3521M4 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C | Нет | GaAs | Bulk | |||||||||||||||
2N5952 | Central Semiconductor | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering Hold | Да | JFET | Si | N-Channel | 30 V | 30 V | - 55 C | + 150 C | Through Hole | TO-92-3 | Bulk | |||||||
QPD0050TR7 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48V | Нет | GaN | 19.4 dB | 75 W | - 40 C | SMD/SMT | DFN-6 | Reel | ||||||||||
QPD2194SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.1 dB | N-Channel | 371 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | NI400-2 | Reel | ||||||
QPD2195SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.4 dB | N-Channel | 400 W | 55 V | - 40 C | SMD/SMT | NI780-2 | Reel | |||||||
QPD2731SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty | Нет | HEMT | GaN SiC | 16.3 dB | N-Channel | 316 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | NI780-4 | Reel | ||||||
T1G4020036-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | |||||||||||
T1G4020036-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | |||||||||||
T2G4003532-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 30 W | Tray | |||||||||||
T2G4003532-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | 30 W | Tray | ||||||||||||
T2G4005528-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 55 W | Tray | |||||||||||
T2G6000528-Q3 28V | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6001528-Q3 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6003028-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6003028-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
TGF2023-2-01 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-02 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-05 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-10 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-20 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
A2G22S160-01SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V | Нет | Si | Reel | |||||||||||||||
A2G26H280-04SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | Да | Si | Reel |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- следующая ›
- последняя »