Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 194
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CE3512K2-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3520K3CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетGaAsBulk
CE3520K3-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3521M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125CНетGaAsBulk
2N5952Central SemiconductorРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering HoldДаJFETSiN-Channel30 V30 V- 55 C+ 150 CThrough HoleTO-92-3Bulk
QPD0050TR7QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48VНетGaN19.4 dB75 W- 40 CSMD/SMTDFN-6Reel
QPD2194SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power TransistorНетHEMTGaN SiC19.1 dBN-Channel371 W55 V- 40 C+ 85 CSMD/SMTNI400-2Reel
QPD2195SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power TransistorНетHEMTGaN SiC20.4 dBN-Channel400 W55 V- 40 CSMD/SMTNI780-2Reel
QPD2731SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric DohertyНетHEMTGaN SiC16.3 dBN-Channel316 W55 V- 40 C+ 85 CSMD/SMTNI780-4Reel
T1G4020036-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36VoltНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel260 WTray
T1G4020036-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36VoltНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel260 WTray
T2G4003532-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel30 WTray
T2G4003532-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетHEMTGaN SiCN-Channel30 WTray
T2G4005528-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN FlangelessНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel55 WTray
T2G6000528-Q3 28VQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiCTray
T2G6001528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangedНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangelessНетHEMTGaN SiCTray
TGF2023-2-01QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-02QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-05QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-10QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-20QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаSiReel

Страницы