Всего результатов: 194
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CE3512K2 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | Нет | pHEMT | GaAs | 4 V | 10 mA | - 55 C | + 125 C | 125 mW | SMD/SMT | Bulk | ||||||||
CE3512K2-C1 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C | Нет | Si | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||||||
CE3514M4 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C | Нет | pHEMT | GaAs | 10 mA | - 55 C | + 125 C | 125 mW | SMD/SMT | Bulk | |||||||||
CE3520K3 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | Нет | GaAs | Bulk | |||||||||||||||
CE3520K3-C1 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | Нет | Si | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||||||||
CE3521M4 | CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C | Нет | GaAs | Bulk | |||||||||||||||
T1G2028536-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.8 dB | N-Channel | 36 V | 145 V | 24 A | 260 W | 48 V | + 275 C | 288 W | SMD/SMT | Tray | ||||
T1G2028536-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 18 dB | N-Channel | 36 V | 145 V | 24 A | 260 W | 48 V | + 250 C | 288 W | SMD/SMT | Tray | ||||
T1G4004532-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | Нет | GaN SiC | 32 V | 100 V | 45 W | SMD/SMT | Tray | |||||||||||
T1G4004532-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | Нет | GaN SiC | 32 V | 100 V | 45 W | SMD/SMT | Tray | |||||||||||
T1G4012036-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.4 dB | N-Channel | 36 V | 12 A | 24 W | - 2.9 V | 117 W | SMD/SMT | Tray | ||||||
T1G4012036-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.4 dB | N-Channel | 36 V | 12 A | - 2.9 V | 117 W | SMD/SMT | Tray | |||||||
T1G4020036-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | |||||||||||
T1G4020036-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 260 W | Tray | |||||||||||
T2G4003532-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 30 W | Tray | |||||||||||
T2G4003532-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | 30 W | Tray | ||||||||||||
T2G4005528-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | 55 W | Tray | |||||||||||
T2G6000528-Q3 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | - | - | 650 mA | 10 W | - | - | - | 12.5 W | SMD/SMT | Tray | |||
T2G6000528-Q3 28V | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6001528-Q3 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6001528-SG | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | 100 V | 5 A | 17 W | 28 W | SMD/SMT | Tray | |||||||
T2G6003028-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6003028-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
TGF2018 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 58 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 640 mW | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2025 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 81 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 890 mW | SMD/SMT | Gel Pack |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- следующая ›
- последняя »