Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 194
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа сортировать по убываниюУпаковка / блок Упаковка
CE3512K2-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3520K3CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетGaAsBulk
CE3520K3-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3521M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125CНетGaAsBulk
T1G4020036-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36VoltНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel260 WTray
T1G4020036-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36VoltНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel260 WTray
T2G4003532-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel30 WTray
T2G4003532-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaNНетHEMTGaN SiCN-Channel30 WTray
T2G4005528-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN FlangelessНетHEMTGaN SiC16 dBN-Channel55 WTray
T2G6000528-Q3 28VQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiCTray
T2G6001528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangedНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangelessНетHEMTGaN SiCTray
TGF2023-2-01QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-02QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-05QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-10QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-20QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2120QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHzНетpHEMTGaAs11 dB8 V- 12 V194 mA+ 150 C4.2 WDieGel Pack
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаSiReel
NPT1010BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaNНетGaN SiTray
NPT25100BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaNНетGaN SiBulk
NPTB00025BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMTНетGaN SiTray
XF1001-SC-EV1MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval ModuleНетSi

Страницы