Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 194
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Упаковка
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA123501FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V15 A350 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA126001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A600 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA220701FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA220701FA-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA261701FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A170 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA261701FA-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A170 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA263202FC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A340 W+ 225 CSMD/SMTH-37248-4Reel
GTVA263202FC-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A340 W+ 225 CSMD/SMTH-37248-4Reel
QPD0060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48VНетGaN16.2 dB---90 W-- 40 C--SMD/SMTDFN-6Cut Tape, Reel
QPD1823QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.8-2.4GHz GaN 220W 48VНетHEMTGaN SiC21 dBN-Channel---220 W-- 40 C--SMD/SMTNI400-2Tray
QPD2793QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.62-2.69GHz GaN 200W 48VНетHEMTGaN SiC19 dBN-Channel---200 W-- 40 C--SMD/SMTNI400-2Tray
QPD2796QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.5-2.7GHz GaN 200W 48VНетHEMTGaN SiC20 dBN-Channel---200 W-- 40 C--SMD/SMTNI400-2Tray
CG2H30070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A70 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CG2H40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN16.5 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H40025FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V3 A25 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H40045FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V6 A45 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tray
CG2H80015D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V1.5 A15 W-+ 225 C-SMD/SMTDieGel Pack
CG2H80060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V6 A60 W-+ 225 C-SMD/SMTDieGel Pack
CGH35240FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 WattНетHEMTGaN11.6 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V24 A240 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440201Tray
CGH40006PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMT440109Tray
CGH40006SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A6.9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTQFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
CGH40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A12.5 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tube
CGH40025FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V3 A30 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tube
CGH40035FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V4.5 A45 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tray

Страницы