Всего результатов: 194
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
QPD0060 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48V | Нет | GaN | 16.2 dB | - | - | - | 90 W | - | - 40 C | - | - | SMD/SMT | DFN-6 | Cut Tape, Reel | ||||
CGHV1F025S | Wolfspeed / Cree | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt | Нет | HEMT | GaN SiC | 11 dB | N-Channel | 100 V | - 10 V to 2 V | 2 A | 25 W | - | - 40 C | + 150 C | - | SMD/SMT | DFN-12 | Cut Tape, Reel | ||
TGF2018 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 58 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 640 mW | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2023-2-01 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-02 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-05 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-10 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-20 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2025 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 14 dB | 8 V | - 15 V | 81 mA | 12 V | - 65 C | + 150 C | 890 mW | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2040 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 13 dB | 8 V | - 15 V | 129 mA | - 65 C | + 150 C | 1.4 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2060 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm | Нет | pHEMT | GaAs | 12 dB | 8 V | - 3 V | 194 mA | - 65 C | + 150 C | 2.1 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2080 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56% | Нет | pHEMT | GaAs | 11.5 dB | 12 V | - 7 V | 259 mA | - 12 V | - 65 C | + 150 C | 4.2 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||||
TGF2120 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | Нет | pHEMT | GaAs | 11 dB | 8 V | - 12 V | 194 mA | + 150 C | 4.2 W | Die | Gel Pack | |||||||
TGF2160 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE | Нет | pHEMT | GaAs | 10.4 dB | 12 V | - 7 V | 517 mA | - 65 C | + 150 C | 5.6 W | SMD/SMT | Gel Pack | ||||||
TGF2933 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | - | - | 80 mA | 7.2 W | - | - 40 C | + 85 C | 8.9 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2934 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 14 dB | N-Channel | - | - | 1 A | 14 W | - | - 40 C | + 85 C | 15.8 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2935 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | - | - | 360 mA | 4.8 W | - | - 40 C | + 85 C | 5 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2936 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | - | - | 700 mA | 10 W | - | - 40 C | + 85 C | 8.9 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2941 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 16 dB | N-Channel | - | - | 290 mA | 2.4 W | - | - 40 C | + 85 C | 5.1 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2942 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 18 dB | N-Channel | - | - | 170 mA | 2.4 W | - | - 40 C | + 85 C | 2.9 W | SMD/SMT | Gel Pack | |||
TGF2952 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.4 dB | N-Channel | 32 V | 480 mA | 38.4 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 10.5 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2953 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.2 dB | N-Channel | 32 V | 820 mA | 41.6 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 17 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2954 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.6 dB | N-Channel | 32 V | 1.7 A | 44.5 dBm | - 65 C | + 150 C | 34.5 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | ||||
TGF2955 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.2 dB | N-Channel | 32 V | 2.5 A | 46.4 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 41 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2956 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.3 dB | N-Channel | 32 V | 3.5 A | 47.6 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 53 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack |