Всего результатов: 194
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BF861B,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | - 25 V | 15 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
BF861B,235 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | 25 V | 15 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
BF861C,215 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA | Да | JFET | Si | N-Channel | 25 V | - 25 V | 25 mA | 25 V | + 150 C | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
BFR31,235 | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA | Нет | JFET | Si | N-Channel | 25 V | 25 V | 5 mA | 250 mW | SMD/SMT | SOT-23 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||
QPD1000 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 19 dB | N-Channel | 28 V | 100 V | 817 mA | 24 W | - 40 C | + 85 C | 28.8 W | SMD/SMT | QFN-8 | Tray | |||
QPD1003 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.9 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 15 A | 540 W | - 40 C | + 85 C | 370 W | SMD/SMT | RF-565 | Tray | |||
QPD1004SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 25W 50V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.8 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 3.6 A | 40 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | 27.6 W | SMD/SMT | DFN-8 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
QPD1008 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.5 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 4 A | 162 W | - 40 C | + 85 C | 127 W | SMD/SMT | NI-360 | Tray | |||
QPD1008L | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.5 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 4 A | 162 W | - 40 C | + 85 C | 127 W | Screw Mount | NI-360 | Tray | |||
QPD1009 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 24 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 700 mA | 17 W | - 40 C | + 85 C | 17.5 W | SMD/SMT | QFN-16 | Tray | |||
QPD1010 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 24.7 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 400 mA | 11 W | - 40 C | + 85 C | 13.5 W | SMD/SMT | QFN-16 | Waffle | |||
QPD1011SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 7W 50V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 21 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 1.46 A | 8.7 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | 13 W | SMD/SMT | SMD-8 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
QPD1013SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.7GHz 150W PAE 64.8% | Нет | HEMT | GaN SiC | 21.8 dB | N-Channel | 1.7 A | 178 W | 65 V | - 40 C | + 85 C | 67 W | SMD/SMT | DFN-6 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
QPD1014SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 15W 50V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.4 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 1 A | 12.5 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | 15.8 W | SMD/SMT | DFN-8 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
QPD1015 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 20 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 2.5 A | 70 W | - 40 C | + 85 C | 64 W | SMD/SMT | NI-360 | Tray | |||
QPD1015L | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 20 dB | N-Channel | 50 V | 145 V | 2.5 A | 70 W | - 40 C | + 85 C | 64 W | Screw Mount | NI-360 | Tray | |||
QPD1016 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 23.9 dB | N-Channel | 145 V | - 7 V to 1.5 V | 70 A | 680 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | 714 W | SMD/SMT | NI780-2 | |||
QPD1017 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET | Нет | HEMT | GaN SiC | 15.7 dB | N-Channel | 20 A | 460 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | 511 W | SMD/SMT | 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm | |||||
QPD1018 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET | Нет | HEMT | GaN SiC | 17.7 dB | N-Channel | 145 V | - 7 V to 2 V | 15 A | 55 V | - 40 C | + 85 C | 522 W | SMD/SMT | 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm | ||||
QPD1019 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET | Нет | HEMT | GaN SiC | 16.3 dB | N-Channel | 150 V | - 7 V to 2 V | 15 A | 55 V | - 40 C | + 85 C | 522 W | SMD/SMT | 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm | ||||
QPD1022SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 10W 32V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 24 dB | N-Channel | 32 V | - 2.8 V | 610 mA | 10 W | - 40 C | + 85 C | 13.8 W | SMD/SMT | QFN-16 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
QPD1823 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V | Нет | HEMT | GaN SiC | 21 dB | N-Channel | - | - | - | 220 W | - | - 40 C | - | - | SMD/SMT | NI400-2 | Tray | ||
QPD1881L | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 21.2 dB | N-Channel | 145 V | - 7 V to 2 V | 13 A | 55 V | - 40 C | + 85 C | 237 W | SMD/SMT | NI780-2 | ||||
QPD2194SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.1 dB | N-Channel | 371 W | 55 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | NI400-2 | Reel | ||||||
QPD2195SR | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.4 dB | N-Channel | 400 W | 55 V | - 40 C | SMD/SMT | NI780-2 | Reel |