Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IRG4PSH71UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHzНетSiTO-274-3Through HoleSingle1.2 kV2.52 V20 V99 A350 W- 55 C+ 150 CTube
IRG6B330UDPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETESНетSiTO-220-3Through HoleSingle330 V1.69 V30 V70 A160 W- 40 C+ 150 CTube
IRG7PH35UD-EPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETESНетSiTO-247-3Through Hole1.2 kV2.2 V50 A180 WTube
IRG7PH35UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50AНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV1.9 V30 V50 A180 W- 55 C+ 150 CTube
IRG7PH42UDPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V Trench IGBT Generic Ind AppНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV2 V30 V85 A320 W- 55 CTube
IRG7PH46UD-EPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETESНетSiTO-247-3Through Hole1.2 kV2 V108 A390 WTube
IRGB14C40LPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V LO-VCEON DISCRETE IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle430 V1.4 V10 V20 A125 W- 40 C+ 150 CTube
IRGB20B60PD1PBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.05 V20 V40 A215 W- 55 C+ 150 CTube
IRGB30B60KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 10-30kHz IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V78 A370 W- 55 CTube
IRGB4056DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V24 A140 W- 55 C+ 175 CTube
IRGB4060DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V16 A99 W- 55 C+ 175 CTube
IRGB4061DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V36 A206 W- 55 C+ 175 CTube
IRGB4062DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V48 A250 W- 55 CTube
IRGB4620DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFASTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V32 A140 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGB4630DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFASTНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.65 V20 V47 A206 W- 40 C+ 175 CTRENCHSTOPTube
IRGB6B60KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 10-30kHzНетSiTO-220AB-3Through HoleSingle600 V1.8 V20 V18 A90 W- 55 C+ 150 CRCTube
IRGIB10B60KD1PInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-VceonНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V16 A44 W- 55 CTube
IRGIB15B60KD1PInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-VceonНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle600 V1.8 V20 V19 A52 W- 55 CTube
IRGIB6B60KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-VceonНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.8 V20 V11 A38 W- 55 C+ 175 CRCTube
IRGP20B60PDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V40 A220 W- 55 CTube
IRGP30B120KD-EPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.2 kV2.28 V20 V60 A300 W- 55 C+ 150 CTube
IRGP30B60KD-EPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 5-40kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A304 W- 55 CTube
IRGP35B60PDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHzНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V60 A308 W- 55 C+ 150 CTube
IRGP4062DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V48 A250 W- 55 CTube
IRGP4063DPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trnch Appliance motion appНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.14 V20 V96 A330 W- 55 CTube

Страницы