Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
AUIRGS30B60KTRRInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMT600 V2.35 V78 A370 WReel
AUIRGS4062D1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V Ultra IGBT D2PAKНетSiDPAK-3SMD/SMTAEC-Q101Tube
AUIRGS4062D1TRLInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V 24A T in a D2PAKНетSiAEC-Q101Cut Tape, Reel
AUIRGSL30B60KInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBTНетSiTO-262-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V78 A370 W- 55 CAEC-Q101Tube
AUIRGSL4062D1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V 24A T in a D2PAKНетSiTO-262-3Through HoleAEC-Q101Tube
IRG4BC15UD-LPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 10-30kHzНетSiTO-262-3Through HoleSingle600 V2.02 V20 V14 A49 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC20KD-SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V2.27 V20 V16 A60 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC20SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.4 V20 V19 A60 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30FD-SPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V31 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30FDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.59 V20 V31 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30FPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.59 V20 V31 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30KD-SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V2.7 V20 V28 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.21 V20 V28 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.7 V20 V28 A100 W- 55 CTube
IRG4BC30SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.4 V20 V34 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30UDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V23 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30UPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V23 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30W-SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V2.1 V20 V23 A100 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC30WPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.7 V20 V23 A100 W- 55 CTube
IRG4BC40FPBFInfineon / IRБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.7 V20 V49 A160 W- 55 CTube
IRG4BC40KPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.6 V20 V42 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC40SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V60 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC40UPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V40 A160 W- 55 CTube
IRG4BC40W-LPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHzНетSiTO-262-3Through HoleSingle600 V2.5 V20 V40 A160 W- 55 C+ 150 CTube
IRG4BC40W-SPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBTНетSiDPAK-3SMD/SMTSingle600 V2.05 V20 V40 A160 W- 55 C+ 150 CTube

Страницы