Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Упаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка сортировать по убыванию
STGF4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V8 A23 W- 55 C+ 175 CSTGF4M65DF2
STGF5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V10 A24 W- 55 C+ 175 CSTGF5H60DF
STGF6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low lossНетSiTO-220FP-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V12 A24.2 W- 55 C+ 175 CSTGF6M65DF2
STGF7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGF7H60DF
STGF8NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFETНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGF8NC60KD
STGFW40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiTO-3PFThrough HoleSingle650 V2 V80 A62.5 WSTGFW40H65FB
STGFW80V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-3PFThrough HoleSingle600 V1.85 V20 V120 A79 W- 55 C+ 175 CSTGFW80V60F
STGP15M120F3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 packageДаSiTO-220-3Through HoleSingle1.2 kV1.85 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGP15M120F3
STGP15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low lossНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V30 A136 W- 55 C+ 175 CSTGP15M65DF2
STGP20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGP20M65DF2
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGP30H60DFB
STGP3HF60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diodeДаSiSTGP3HF60HD
STGP5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V10 A88 W- 55 C+ 175 CSTGP5H60DF
STGP6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGP6M65DF2
STGP8M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 packageДаSiTO-220-3Through HoleSingle1.2 kV1.85 V20 V16 A167 W- 55 C+ 175 CSTGP8M120DF3
STGW10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V20 A115 W- 55 C+ 175 CSTGW10M65DF2
STGW30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGW30M65DF2
STGW40H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 packageНетSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW40H65DFB-4
STGW60H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedДаSiTO-247-4Through HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW60H65DFB-4
STGW75M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V120 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW75M65DF2
STGW80H65DFB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65DFB-4
STGW80H65FB-4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedДаSiSTGW80H65FB-4
STGWA15H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15H120DF2
STGWA15H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedДаSiThrough HoleSingle1200 V2.5 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWA15H120F2
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGWA20M65DF2

Страницы