Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация сортировать по убываниюУпаковка
APTGLQ75H120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144Нет-IGBT Silicon ModulesQuad1200 V2.05 V130 A150 nA385 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ75H65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge650 V1.85 V100 A200 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3135НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA595 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4094НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V150 A400 nA560 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8013НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT100BB60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3152НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP3F-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DA120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8079НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DA60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8064НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DH120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4080НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DH60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4084НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DU120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4121НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DU170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4127НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V150 A400 nA560 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100DU60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4123НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6073НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100H170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6115НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100H60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3006НетIGBT Silicon ModulesQuad600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP-3- 40 C+ 175 CTube
APTGT100H60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4102НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100SK170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4098НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V150 A400 nA560 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TA120TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6536НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6512НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205НетIGBT Silicon Modules1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3066НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA833 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube

Страницы