Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4143 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8101 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP1-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGLQ100DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8129 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3214 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4145 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6256 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ200A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3210 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 400 A | 480 nA | 1250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 350 A | 340 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ200H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC6254 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 270 A | 300 nA | 680 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ200HR120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Common Emitter | 1.2 kV, 600 V | 2.05 V, 1.5 V | 300 A, 150 A | 480 nA, 400 nA | 1 kW, 340 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ25H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8121 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ25H120T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC20011 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP2 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
APTGLQ300A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6253 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ300H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6229 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 650 V | 1.85 V | 385 A | 500 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ300SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6255 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ30H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3209 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.95 V | 40 A | 300 nA | 95 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ400A120T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6230 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.05 V | 625 A | 680 nA | 1.9 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ40H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 75 A | 120 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ50DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3213 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50H65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8128 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3211 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50TL65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3212 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50VDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3215 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ600A65T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 770 A | 1 uA | 2 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ75H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3167 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP1-32 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »