Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGL180A1202GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20003НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V220 A200 nA750 WSP2-18- 40 C+ 100 CBulk
APTGL180A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3090НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V230 A200 nA940 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL240TL120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.8 V305 A1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGL325A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7081НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V420 A400 nA1.5 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL40H120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8085НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGL40X120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3132НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL475A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7082НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V610 A400 nA2.08 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475DA120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7079НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A400 nA2.08 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475SK120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7084НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A400 nA2.08 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7072НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A2.082 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475U120DAGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6171НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A2.307 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGL60DDA120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3097НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL60H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3142НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.85 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL60TL120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.8 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL700DA120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7086НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V840 A800 nA3 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL700SK120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7087НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V840 A800 nA3 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL700U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7070НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V910 A3 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGL90A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8086НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DA120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8109НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DDA120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3136НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DSK120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3174НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL90H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3096НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ100A65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8101НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V135 A150 nA350 WSP1-12- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ200H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V350 A340 nA1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ200HR120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V300 A, 150 A480 nA, 400 nA1 kW, 340 WSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы