Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT100GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT100GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT100GT120JRDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 3.2 V | 123 A | 600 nA | 570 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT100GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT100GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0007 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT100GT60JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT100GT60JRDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT150GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT150GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT150GN60B2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 1.45 V | 220 A | 600 nA | 536 W | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT150GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT150GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT150GN60LDQ4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A,TO-264, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 1.45 V | 220 A | 600 nA | 536 W | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT150GT120JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.2 V | 170 A | 900 nA | 830 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT200GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT200GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT200GT60JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 600 V | 2 V | 195 A | 300 nA | 500 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT30GP60JDQ1 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 67 A | 100 nA | 245 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT35GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0036 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 500 nA | 260 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT35GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0037 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 500 nA | 260 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT40GL120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HOLD CC0102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT40GL120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0039 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT40GP90JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 900 V | 3.2 V | 64 A | 100 nA | 284 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT46GA90JD40 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 900 V | 2.5 V | 87 A | 100 nA | 284 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GF120B2RG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | T-Max-3 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »