Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N3702Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP -25V -500mA BULK HFE/300НетThrough HoleTO-92-3PNPSingle25 V40 V5 V250 mV50 mA100 MHz- 55 C+ 150 C2N3702
2N3703Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP -30V -500mA BULK HFE/150НетThrough HoleTO-92-3PNPSingle30 V50 V5 V250 mV50 mA100 MHz2N3703
2N3704Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/300НетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V50 V5 V0.6 V0.8 A100 MHz- 65 C+ 150 C2N3704
2N3705Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/150НетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V50 V- 5 V0.8 A100 MHz- 65 C+ 150 C2N3705
2N3706Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 20V 800mA BULK HFE/800НетThrough HoleTO-92-3NPNSingle20 V40 V- 5 V0.8 A100 MHz- 65 C+ 150 C2N3706
2N3707Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V1 V200 mA- 65 C+ 150 C2N3707
2N3708Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V1 V200 mA- 65 C+ 150 C2N3708
2N3710Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V1 V200 mA- 65 C+ 150 C2N3710
2N3711Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V6 V1 V200 mA- 65 C+ 150 C2N3711
2N3713Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN GP PowerНетThrough HoleTO-3-2NPN60 V80 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 150 C2N3713
2N3715Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN GP PowerНетThrough HoleTO-3-2NPN60 V80 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3715
2N3716Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN GP PowerНетThrough HoleTO-3-2NPN80 V100 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3716
2N3722Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-39-32N3722
2N3725ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Fast SW SSНетThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V80 V6 V900 mV1.2 A300 MHz- 65 C+ 150 C2N3725
2N3740Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Leaded Power TransistorНетThrough HoleTO-66-2PNP60 V60 V7 V600 mV10 A4 MHz+ 200 C2N3740
2N3773Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Power SWНетThrough HoleTO-3-2NPN140 V160 V7 V4 V30 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3773
2N3789Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP GP PowerНетThrough HoleTO-3-2PNP60 V60 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 150 C2N3789
2N3790Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP GP PowerНетThrough HoleTO-3-2PNP80 V80 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3790
2N3791Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP GP PowerНетThrough HoleTO-3-2PNP60 V60 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3791
2N3792Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Power SWНетThrough HoleTO-3-2PNP80 V80 V7 V1 V10 A4 MHz- 65 C+ 200 C2N3792
2N3799Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT Low Noise AmplНетThrough HoleTO-18PNPSingle60 V60 V7 V0.25 V0.05 A80 MHz- 65 C+ 150 C2N3799
2N3799ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-182N3799
2N3839Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN VHF/UHF AMНетThrough HoleTO-72-3NPNSingle15 V30 V2.5 V0.04 A2 GHz- 65 C+ 150 C2N3839
2N3860Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle30 V30 V4 V0.125 V90 MHz2N3860
2N3867Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-39-32N3867

Страницы