Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2SC5065-O(TE85L,F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHzДаSiSMD/SMTSC-70-3NPNSingle12 V20 V3 V-30 mA7 GHz- 55 C+ 125 C
2SC5085-O(TE85L,F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHzДаSiSMD/SMTSC-70-3NPNSingle12 V20 V3 V-80 mA7 GHz- 55 C+ 125 C
2SC5354-1(F)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor NPN 800V 5AНетSiThrough HoleTO-3P-N-3NPNSingle800 V900 V7 V1 V5 A- 55 C+ 150 C2SC5354
HN1B01FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B01
HN1B04FE-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-563-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA80 MHz, 80 MHz+ 150 CHN1B04
HN1B04FE-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-563-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA80 MHz, 80 MHz+ 150 CHN1B04
HN1B04FU-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50VНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V0.1 V150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B04FU
HN1B04FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual50 V60 V, - 50 V5 V100 mV150 mA150 MHz, 120 MHz+ 125 CHN1B04
HN1C01FE-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal AmpНетSiNPNDual50 V60 V5 V100 mV150 mA80 MHz- 55 C+ 150 CHN1C01
HN1C01FU-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal AmpНетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNDual50 V60 V5 V100 mV150 mA80 MHz+ 125 CHN1C01
HN1C03FU-A(TE85L,FToshibaБиполярные транзисторы - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHzДаSiSMD/SMTSMT-6NPNSingle20 V50 V20 V0.042 V300 mA30 MHz- 55 C+ 150 C
HN2C01FU-Y(TE85L,FToshibaБиполярные транзисторы - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=80MHzДаSiSMD/SMTSMT-6NPNDual50 V60 V5 V0.1 V150 mA80 MHz- 55 C+ 125 C
RN1103MFV,L3FToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in TransistorНетSiSMD/SMTSOT-723-3NPNSingle50 V50 V10 V100 mV100 mA- 55 C+ 150 CRN1103
RN1901,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1НетSiSMD/SMTSOT-363-6NPNSingle50 V50 V10 V100 mV100 mA250 MHz- 55 C+ 150 CRN1901
RN1906FE,LF(CTToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1НетSiSMD/SMTSOT-563-6NPNSingle50 V50 V5 V100 mV100 mA250 MHz- 55 C+ 150 CRN1906
TBC847B,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT BJT NPN 0.15A 50VНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V6 V170 mV150 mA100 MHz+ 150 CTBC8X7
TMBT3904,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. AmplificationНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V5 V300 mV150 mA300 MHz- 55 C+ 150 CTMBT3904
TMBT3906,LMToshibaБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. AmplificationНетSiSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 50 V- 50 V- 5 V- 400 mV- 150 mA250 MHz- 55 C+ 150 CTMBT3906
TTA004B,QToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V TransНетSiThrough HoleTO-126N-3PNPSingle- 160 V- 160 V- 6 V- 500 mV- 1.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CTTA004B
TTA1943(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230VНетSiThrough Hole2-21F1A-3PNPSingle- 230 V- 230 V- 5 V- 3 V- 15 A30 MHz- 55 C+ 150 CTTA1943
TTC004B,QToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V TransНетSiThrough HoleTO-126N-3NPNSingle160 V160 V6 V0.5 V1.5 A100 MHz- 55 C+ 150 CTTC004B
TTC008(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1WНетSiThrough HoleTO-251-3NPNSingle285 V600 V7 V600 V1.5 A+ 150 CTTC008
TTC012(Q)ToshibaБиполярные транзисторы - BJT NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800VНетSiThrough HoleNPNSingle375 V800 V8 V500 mV2 A+ 150 CTTC012
2PA1774QMB,315NexperiaБиполярные транзисторы - BJT 40V 100mA PNP General Purpose TranНетSiSMD/SMTDFN-1006B-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V- 200 mV- 200 mA100 MHz- 55 C+ 150 C
2PD601ARL,235NexperiaБиполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-PinНетSiSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle50 V60 V6 V250 mV100 mA100 MHz- 55 C+ 150 C

Страницы