Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Вид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура сортировать по возрастаниюМаксимальная рабочая температура Серия
2N2945A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle- 20 V- 25 V- 25 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N2946A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-46-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 40 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N2946AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTSMD-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 40 V- 100 mA- 65 C+ 200 C
2N3019Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V100 MHz- 65 C+ 200 C
2N3019/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3019SMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V140 V7 V200 mV1 A- 65 C+ 200 C
2N3019S/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3057AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle80 V140 V7 V200 mV1 A- 65 C+ 200 C
2N3057A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-46-3NPNSingle80 V140 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3250A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V60 V5 V0.5 V200 mA- 65 C+ 175 C
2N327AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 40 V- 50 V- 20 V0.3 V250 mW- 65 C+ 165 C
2N328AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 35 V- 50 V- 20 V0.5 V- 65 C+ 165 C
2N329AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle- 30 V- 50 V- 20 V0.6 V- 65 C+ 165 C
2N3419Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V125 V8 V250 mV3 A- 65 C+ 200 C
2N3421Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle80 V125 V8 V500 mV3 A- 65 C+ 200 C
2N3439UA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiSMD/SMTLCC-4NPNSingle350 V450 V7 V0.5 V1 A- 65 C+ 200 C
2N3498L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
2N3499L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle100 V100 V6 V0.6 V500 mA- 65 C+ 200 C
2N3500Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V150 V6 V200 mV300 mA- 65 C+ 200 C
2N3500/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
2N3501/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
2N3501L/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3NPNSingle150 V150 V6 V0.4 V300 mA- 65 C+ 200 C
2N3507Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiThrough HoleTO-39-3NPNSingle50 V80 V5 V500 mV3 A- 65 C+ 200 C
2N3507AU4Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаSiSMD/SMTTO-39-3NPNSingle50 V80 V5 V1.5 V3 A- 65 C+ 200 C

Страницы