Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
DMC506E20RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-363НетSMD/SMTSMini-6NPNDual20 V30 V3 V15 mA650 MHz+ 150 CDMC
DMC904F00RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Composite TransistorНетSSMini6-F3-BNPN20 V3 V
DME201010RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-5NPN, PNPDual- 50 V150 MHz+ 150 C
DME20B010RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-5NPN, PNPDual50 V60 V7 V130 mV, - 200 mV200 mA, - 200 mA150 MHz+ 85 C
DME501010RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-5NPN, PNPDual- 50 V150 MHz+ 150 C
DMG201020RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Composite TransistorНетSOT-23-5NPN, PNP50 V5 V
DMG204010RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-6NPN, PNPDual- 50 V150 MHz+ 150 C
DMG204020RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-6NPN, PNPDual- 50 V160 MHz+ 150 C
DMG204B10RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-6NPN, PNPDual- 50 V, 20 V- 60 V, 25 V- 7 V, 12 V- 0.2 V, 0.18 V- 100 mA, 0.5 A150 MHz- 40 C+ 150 C
DMG564010RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Composite Transistor w/ Built n ResistorНетSMini-6NPN, PNP- 50 V
DMR935E10RPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Composite TransistorНетSSMini6-F3-BPNP- 20 V- 3 V
DSA200100LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 50 V150 MHz+ 150 C
DSA2002R0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 5 V- 200 mV- 1 A130 MHz+ 85 C
DSA2401S0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mmНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 10 V250 MHz+ 150 C
DSA300100LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.2x1.2mmНетSMD/SMTSSSMini3-F2-BPNPSingle- 50 V150 MHz+ 150 C
DSA500100LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V150 MHz+ 150 C
DSA5001R0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 7 V- 200 mV- 200 mA150 MHz+ 85 C
DSA5001S0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 7 V- 200 mV- 200 mA150 MHz+ 85 C
DSA500200LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V130 MHz+ 150 C
DSA5002R0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V130 MHz+ 150 C
DSA5002S0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mmНетSMD/SMTSMini-3PNPSingle- 50 V130 MHz+ 150 C
DSA5G01B0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT Bipolar Power TransistorНетSMini-3NPN- 20 V- 5 V
DSA700300LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mmНетSMD/SMTMini-P3-3PNPSingle- 50 V+ 150 C
DSA7003R0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mmНетSMD/SMTMini-P3-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 5 V- 400 mV- 1.5 A120 MHz+ 85 C
DSA7004S0LPanasonicБиполярные транзисторы - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mmНетSMD/SMTMini-P3-3PNPSingle- 50 V- 60 V- 5 V- 200 mV- 3 A130 MHz+ 85 C

Страницы