Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
IMT17-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 300mW -50VceoНетSOT-26-6PNPDual- 50 V- 60 V- 5 V- 600 mV- 500 mA200 MHz- 55 C+ 150 CIMT17
IMX8-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT DUAL NPN 225mW SIGNAL DUAL NPNНетSMD/SMTSOT-26-6NPNDual120 V120 V5 V0.05 A140 MHz- 55 C+ 150 CIMX8
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5KДаMJD31CUQ
MJD32C-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 100V 3A PNP SMTНетSMD/SMTTO-252-3PNPSingle100 V100 V6 V1.2 V3 A3 MHz- 55 C+ 150 CMJD32C
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5KДаMJD32CU
MJD340-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMTНетSMD/SMTDPAK-3NPNSingle300 V300 V3 V0.5 A- 55 C+ 150 CMJD340
MJD350-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMTНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle300 V300 V3 V0.5 A- 55 C+ 150 CMJD350
MMBT123S-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 18V 300mWНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle18 V45 V5 V0.5 V1 A100 MHz- 55 C+ 150 CMMBT123
MMBT2222A-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V 300mWНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V75 V6 V1 V0.6 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT2222
MMBT2222ALP4-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10KНетSMD/SMTX2-DFN1006-3NPNSingle40 V75 V6 V0.3 V0.6 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT2222
MMBT2222AT-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V 150mWНетSMD/SMTSOT-523-3NPNSingle40 V75 V6 V1 V0.6 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT2222
MMBT2907A-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 60V 300mWНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 1.6 V0.6 A200 MHz- 55 C+ 150 CMMBT2907
MMBT2907AT-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT -60V 150mWНетSMD/SMTSOT-523-3PNPSingle- 60 V- 60 V- 5 V- 1.6 V0.6 A200 MHz- 55 C+ 150 CMMBT2907
MMBT3904-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mAНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V0.2 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3904
MMBT3904FA-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V VceoНетSMD/SMTX2-DFN0806-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V0.2 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3904FA
MMBT3904FZ-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN 40Vceo 0.3W 200mW 300MHzНетSMD/SMTDFN0606-3NPNSingle40 V60 V6 V300 mV200 mA300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3904FZ
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBOНетSMD/SMTX1-DFN1006-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V200 mA300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3904LP
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10KНетSMD/SMTX1-DFN1006-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V200 mA- 55 C+ 150 CMMBT3904LP
MMBT3904T-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V 150mWНетSMD/SMTSOT-523-3NPNSingle40 V60 V6 V0.3 V0.2 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3904T
MMBT3906-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V 300mWНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V- 0.4 V0.2 A250 MHz- 55 C+ 150 CMMBT3906
MMBT3906FA-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V VceoНетSMD/SMTX2-DFN0806-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 6 V- 0.25 V- 500 mA300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT39
MMBT3906LP-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNPНетSMD/SMTDFN1006-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V- 0.4 V300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT39
MMBT3906LP-7BDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10KНетSMD/SMTX1-DFN1006-3PNP- 40 V- 5 V- 55 C+ 150 CMMBT39
MMBT3906T-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT -40V 150mWНетSMD/SMTSOT-523-3PNPSingle- 40 V- 40 V- 5 V- 0.4 V0.2 A140 MHz- 55 C+ 150 CMMBT39
MMBT4124-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 25V 300mWНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle25 V30 V5 V0.3 V0.2 A300 MHz- 55 C+ 150 CMMBT41

Страницы