Всего результатов: 15213
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 160
- 161
- 162
- 163
- 164
- 165
- 166
- 167
- 168
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Размер памяти | Организация | Время доступа | Максимальная тактовая частота | Тип интерфейса | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GS8160E18DGT-400 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 4 ns | 400 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 255 mA, 335 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-150I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 190 mA, 200 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-150V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 160 mA, 180 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-200I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 215 mA, 215 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-200V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 190 mA, 195 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-250I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 230 mA, 250 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-250V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 205 mA, 225 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-333I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 4.5 ns | 333 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 260 mA, 305 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-333V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 220 mA, 280 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-375I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 4.2 ns | 375 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 270 mA, 340 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-400I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 4 ns | 400 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 275 mA, 355 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-150 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 180 mA, 190 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-200 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 210 mA, 210 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-250 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 230 mA, 250 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-333 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 4.5 ns | 333 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 260 mA, 315 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-375 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 4.2 ns | 375 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 270 mA, 350 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-400 | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 4 ns | 400 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 280 mA, 365 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-150I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 200 mA, 210 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-150V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 175 mA, 190 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-200I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 230 mA, 230 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-200V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 205 mA, 210 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-250I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 250 mA, 270 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-250V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 245 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-333I | GSI Technology | Стат. ОЗУ 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 4.5 ns | 333 MHz | Parallel | 3.6 V | 2.3 V | 280 mA, 335 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-333V | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 240 mA, 310 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 160
- 161
- 162
- 163
- 164
- 165
- 166
- 167
- 168
- …
- следующая ›
- последняя »