Всего результатов: 15213
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 154
- 155
- 156
- 157
- 158
- 159
- 160
- 161
- 162
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Размер памяти | Организация | Время доступа | Максимальная тактовая частота | Тип интерфейса | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
70121L25JG | IDT | Стат. ОЗУ 2K X 9 DUAL PORT SLAVE | Нет | 18 kbit | 2 k x 9 | 25 ns | Parallel | 5.5 V | 4.5 V | 220 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | PLCC-52 | Tube | ||||
70125L25JG | IDT | Стат. ОЗУ 2K X 9 DUAL PORT SLAVE | Нет | 18 kbit | 2 k x 9 | 25 ns | Parallel | 5.5 V | 4.5 V | 220 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | PLCC-52 | Tube | ||||
70125L25JG8 | IDT | Стат. ОЗУ 2K X 9 DUAL PORT SLAVE | Нет | 18 kbit | 2 k x 9 | 25 ns | Parallel | 5.5 V | 4.5 V | 220 mA | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | PLCC-52 | Reel | ||||
GS8160E18DGT-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 180 mA, 200 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 210 mA, 215 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-250IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 245 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E18DGT-333IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 240 mA, 300 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 195 mA, 210 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 230 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-250IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 245 mA, 265 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E32DGT-333IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 32 16M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 32 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 260 mA, 330 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E36DGT-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 195 mA, 210 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E36DGT-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 230 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E36DGT-250IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 245 mA, 265 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160E36DGT-333IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 260 mA, 330 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z18DGT-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 180 mA, 200 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z18DGT-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 210 mA, 215 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z18DGT-250IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 245 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z18DGT-333IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 240 mA, 300 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z36DGT-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 195 mA, 210 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z36DGT-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 225 mA, 230 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z36DGT-250IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 5.5 ns | 250 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 245 mA, 265 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8160Z36DGT-333IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 512K x 36 18M | Нет | 18 Mbit | 512 k x 36 | 5 ns | 333 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 260 mA, 330 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | TQFP-100 | Tray | |||
GS8161E18DGD-150IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 7.5 ns | 150 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 180 mA, 200 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | BGA-165 | Tray | |||
GS8161E18DGD-200IV | GSI Technology | Стат. ОЗУ 1.8/2.5V 1M x 18 18M | Нет | 18 Mbit | 1 M x 18 | 6.5 ns | 200 MHz | Parallel | 2.7 V | 1.7 V | 210 mA, 215 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | BGA-165 | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 154
- 155
- 156
- 157
- 158
- 159
- 160
- 161
- 162
- …
- следующая ›
- последняя »