Всего результатов: 1364
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип продукта ![]() | Вид монтажа | Упаковка / блок | Тип транзистора | Технология | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Усиление | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFM00U7U(TE85L,F) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | SOT-343-4 | Si | 200 mW | 13 dB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
RFM01U7P(TE12L,F) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | PW-Mini-3 | Si | 1.2 W | 10.8 dB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
RFM04U6P(TE12L,F) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | PW-Mini-3 | Si | 4.3 W | 13.3 dB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||
RFM08U9X(TE12L,Q) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | PW-X-4 | Si | 7.5 W | 11.7 dB | Reel | |||||
RFM12U7X(TE12L,Q) | Toshiba | РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | PW-X-4 | Si | 12 W | 10.8 dB | Reel | |||||
A2G22S190-01SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-400S-2 | GaN Si | - 55 C | + 150 C | 16.5 dB | Reel | ||||
A2T08VD021NT1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | PQFN-24 | Si | 2 W | - 40 C | + 150 C | 19.1 dB | Cut Tape, Reel | |||
A2T18S166W12SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V | ![]() | Да | RF MOSFET Transistors | Flange Mount | NI-780S-2L2L | Si | 38 W | - 40 C | + 150 C | 18.1 dB | Reel | |||
A2T18S262W12NR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | OM-880X-2 | Si | 56 W | - 40 C | + 150 C | 19.3 dB | Reel | |||
A2T21H140-24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4 | Si | 36 W | - 40 C | + 150 C | 17.4 dB | Cut Tape, Reel | |||
A2T21H141W24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V | ![]() | Да | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4 | Si | 36 W | - 40 C | + 150 C | 17.2 dB | Reel | |||
A2T21H360-23NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | OM-1230-4 | Si | 63 W | - 40 C | + 150 C | 16.8 dB | Reel | |||
A2T21S161W12SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V | ![]() | Да | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-2 | Si | 38 W | - 40 C | + 150 C | 19.1 dB | Reel | |||
A2T23H200W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | ACP-1230S-4 | Si | 51 W | - 40 C | + 150 C | 15.5 dB | Cut Tape, Reel | |||
A2V07H400-04NR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | OM-780-4L | Si | 107 W | - 40 C | + 150 C | 19.9 dB | Reel | |||
A2V07H525-04NR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | OM-1230-4L | Si | 120 W | - 40 C | + 150 C | 17.5 dB | Reel | |||
A3G18H500-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4L | Si | 107 W | - 55 C | + 150 C | 15.4 dB | Reel | |||
A3G20S250-01SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V | ![]() | Да | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-400S-2 | GaN Si | - 55 C | + 150 C | 18.2 dB | Cut Tape, Reel | ||||
A3G22H400-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4 | GaN | 79 W | - 55 C | + 150 C | 15.3 dB | Reel | |||
A3G35H100-04SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4L | Si | 14 W | - 55 C | + 150 C | 14 dB | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H360W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Si | 63 W | - 40 C | + 150 C | 16.6 dB | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H400W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Si | 71 W | - 40 C | + 150 C | 16.8 dB | Cut Tape, Reel | |||
A3T18H408W24SR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 30 V | ![]() | Да | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | NI-780S-4L2L | Si | 56 W | - 40 C | + 225 C | 15.2 dB | Reel | |||
A3T18H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Si | 87 W | - 40 C | + 150 C | 16.7 dB | Reel | |||
A3T19H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V | ![]() | Нет | RF MOSFET Transistors | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Si | 81 W | - 40 C | + 150 C | 16.4 dB | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »