Вы здесь

МОП-транзистор

Всего результатов: 18990
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Количество каналов Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Id - непрерывный ток утечки Rds Вкл - сопротивление сток-исток Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Vgs - напряжение затвор-исток Qg - заряд затвора Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Конфигурация Канальный режим Квалификация Коммерческое обозначение Упаковка
STS9P3LLH6STMicroelectronicsМОП-транзистор P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A, STripFET H6 Power МОП-транзистор in a SO-8 packageДаSiSMD/SMTSOIC-81 ChannelP-Channel30 V9 A12 mOhms1 V20 V24 nC- 55 C+ 150 C2.7 WSingleEnhancementSTripFETCut Tape, MouseReel, Reel
STT4P3LLH6STMicroelectronicsМОП-транзистор P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power МОП-транзистор in a SOT23-6L packageНетSiSMD/SMTSOT-23-61 ChannelP-Channel30 V4 A56 mOhms1 V10 V6 nC+ 150 C1.6 WSingleEnhancementSTripFETCut Tape, MouseReel, Reel
STT5N2VH5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 20V 0.025 Ohm 5 A STripFET(TM) VНетSiSMD/SMTSOT-23-61 ChannelN-Channel20 V5 A31 mOhms700 mV8 V6 nC- 55 C+ 150 C1.6 WSingleEnhancementSTripFETCut Tape, MouseReel, Reel
STT6N3LLH6STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIНетSiSMD/SMTSOT-23-61 ChannelN-Channel30 V6 A25 mOhms1 V10 V3.6 nC+ 150 C1.6 WSingleEnhancementSTripFETCut Tape, MouseReel, Reel
STU10N60M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2НетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel600 V7.5 A560 mOhms3 V25 V13.5 nC- 55 C+ 150 C85 WSingleMDmeshTube
STU10NM60NSTMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh 8AНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel600 V8 A530 mOhmsSingleMDmeshTube
STU11N65M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel650 V7 A670 mOhms3 V25 V12.5 nC- 55 C+ 150 C85 WSingleMDmesh II PlusTube
STU12N60M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-ChannelSingleMDmesh
STU13N65M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel650 V10 A370 mOhms2 V25 V17 nC+ 150 C110 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU13NM60NSTMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power МОП-транзистор in IPAK packageДаSiThrough HoleTO-251-3MDmesh
STU16N60M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-ChannelSingleMDmesh
STU16N65M2STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel650 V11 A360 mOhms2 V25 V19.5 nC- 55 C+ 150 C110 WSingleEnhancementTube
STU1HN60K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAKНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel600 V1.2 A6.7 Ohms3.75 V30 V9.5 nC- 55 C+ 150 C27 WSingleEnhancementSuperMESHTube
STU2LN60K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3НетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel600 V2 A4 Ohms3.75 V30 V12 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementSuperMESHTube
STU2N105K5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel1.05 kV1.5 A8 Ohms3 V30 V10 nC- 55 C+ 150 C60 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU2N62K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESHНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel620 V2.2 A3.6 Ohms30 V15 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleMDmeshTube
STU2N80K5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel800 V2 A4.5 Ohms4 V30 V9.5 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU2N95K5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protectedНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel950 V2 A5 Ohms4 V30 V10 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleSuperMESHTube
STU2NK100ZSTMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85AНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel1 kV1.85 A8.5 Ohms30 V16 nC- 55 C+ 150 C70 WSingleEnhancementSuperMESHTube
STU3LN62K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3НетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel620 V2.5 A3 Ohms30 V17 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleSuperMESHTube
STU3LN80K5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in an IPAK packageНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel800 V2 A2.75 Ohms3 V30 V2.63 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU3N45K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3НетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel450 V1.8 A3.8 Ohms30 V6 nC- 55 C+ 150 C27 WSingleEnhancementSuperMESHTube
STU3N62K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7AНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel620 V2.7 A2.5 Ohms30 V13 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU3N80K5STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protectedНетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel800 V2.5 A3.5 Ohms3 V30 V9.5 nC- 55 C+ 150 C60 WSingleEnhancementMDmeshTube
STU4N52K3STMicroelectronicsМОП-транзистор N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3НетSiThrough HoleTO-251-31 ChannelN-Channel525 V2.5 A2.6 Ohms30 V11 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementMDmeshTube

Страницы