Вы здесь

МОП-транзистор

Всего результатов: 18990
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Количество каналов Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Id - непрерывный ток утечки Rds Вкл - сопротивление сток-исток Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Vgs - напряжение затвор-исток Qg - заряд затвора Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Конфигурация Канальный режим Квалификация Коммерческое обозначение Упаковка
TK4P55DA(T6RSS-Q)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45НетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel550 V3.5 A2.45 Ohms80 WSingleMOSVIIReel
TK4P60DB(T6RSS-Q)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 OhmНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel600 V3.7 A2 Ohms80 WSingleMOSVIICut Tape, MouseReel, Reel
TK4R3A06PL,S4XToshibaМОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36WНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel60 V68 A3.3 mOhms1.5 V20 V48.2 nC+ 175 C36 WSingleEnhancementU-MOSIX-H
TK4R3E06PL,S1XToshibaМОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87WНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel60 V106 A3.3 mOhms1.5 V20 V48.2 nC+ 175 C87 WSingleEnhancementU-MOSIX-H
TK4R4P06PL,RQToshibaМОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87WНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel60 V106 A3.4 mOhms1.5 V20 V48.2 nC+ 175 C87 WSingleEnhancementU-MOSIX-HCut Tape, Reel
TK50J60U(Q)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065НетSiThrough HoleTO-3PN-31 ChannelN-Channel600 V50 A65 mOhms400 WSingleTube
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaМОП-транзистор N-ch 30V 50A DPНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel30 V50 A9.8 mOhmsSingleU-MOSVI-HCut Tape, MouseReel, Reel
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaМОП-транзистор N-ch 40V 50A DPНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel40 V50 A10.2 mOhmsSingleU-MOSVI-HCut Tape, MouseReel, Reel
TK55S10N1,LQToshibaМОП-транзистор UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAKНетSiSMD/SMTTO-252-31 ChannelN-Channel100 V55 A5.5 mOhms4 V20 V49 nC- 55 C+ 175 C100 WSingleEnhancementU-MOSVIII-HCut Tape, MouseReel, Reel
TK560A60Y,S4XToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0AНетSiThrough HoleTO-220SIS-31 ChannelN-Channel600 V7 A430 mOhms3 V30 V14.5 nC-+ 150 C30 WSingleEnhancementDTMOSVTube
TK560A65Y,S4XToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0AНетSiThrough HoleTO-220SIS-31 ChannelN-Channel650 V7 A430 mOhms3 V30 V14.5 nC-+ 150 C30 WSingleEnhancementDTMOSVTube
TK560P60Y,RQToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0AНетSiSMD/SMTDPAK-31 ChannelN-Channel600 V7 A430 mOhms3 V30 V14.5 nC-+ 150 C60 WSingleEnhancementDTMOSVCut Tape, Reel
TK560P65Y,RQToshibaМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0AНетSiSMD/SMTDPAK-31 ChannelN-Channel650 V7 A430 mOhms3 V30 V14.5 nC-+ 150 C60 WSingleEnhancementDTMOSVCut Tape, Reel
TK56A12N1,S4XToshibaМОП-транзистор МОП-транзистор NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120VНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel120 V56 A6.2 mOhms4 V20 V69 nC- 55 C+ 150 C45 WSingleEnhancementU-MOSVIII-H
TK56E12N1,S1XToshibaМОП-транзистор N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nCНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel120 V112 A5.8 mOhms4 V20 V69 nC168 WSingleEnhancementU-MOSVIII-H
TK58A06N1,S4XToshibaМОП-транзистор МОП-транзистор NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60VНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel60 V58 A4.4 mOhms4 V20 V46 nC- 55 C+ 150 C35 WSingleEnhancementU-MOSVIII-H
TK58E06N1,S1XToshibaМОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nCНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel60 V105 A5.4 mOhms10 V46 nC110 WSingleU-MOSVIII-H
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75НетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel450 V4.5 A1.75 Ohms30 WSingleMOSVII
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор МОП-транзистор N-CH 500V, 5AНетSiThrough HoleTO-220-31 ChannelN-Channel500 V5 A1.5 Ohms2.4 V10 V11 nC+ 150 C35 WSingleEnhancement
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhMНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel525 V5 A1.5 Ohms35 WSingleMOSVII
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 OhmНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel550 V5 A1.7 Ohms35 WSingleMOSVII
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 OhmНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel600 V5 A1.2 Ohms4.4 V30 V16 nC- 55 C+ 150 C35 WSingleMOSVII
TK5A60W,S4VXToshibaМОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nCНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel600 V5.4 A770 mOhms3.7 V30 V10.5 nC- 55 C+ 150 C30 WSingleEnhancement
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 OhmНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel650 V5 A1.67 Ohms35 WSingleMOSVII
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaМОП-транзистор N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 OhmНетSiThrough HoleTO-220FP-31 ChannelN-Channel650 V5 A1.43 OhmsSingleMOSVII

Страницы