Вы здесь

МОП-транзистор

Всего результатов: 18990
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Количество каналов Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Id - непрерывный ток утечки Rds Вкл - сопротивление сток-исток Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток Vgs - напряжение затвор-исток Qg - заряд затвора Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Конфигурация Канальный режим Квалификация Коммерческое обозначение Упаковка
IPW65R080CFDFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V43.3 A72 mOhms3.5 V20 V167 nC- 55 C+ 150 C391 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R095C7Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V24 A84 mOhms3 V20 V45 nC- 55 C+ 150 C128 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R095C7XKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V24 A84 mOhms3 V20 V45 nC- 55 C+ 150 C128 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R099C6Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 38A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V38 A89 mOhms2.5 V20 V127 nC- 55 C+ 150 C278 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R099C6FKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 38A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V38 A89 mOhms2.5 V20 V127 nC- 55 C+ 150 C278 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R110CFDInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V31.2 A99 mOhms3.5 V20 V118 nC- 55 C+ 150 C277.8 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R110CFDAInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 31.2A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V31.2 A99 mOhms3.5 V20 V118 nC- 40 C+ 150 C277.8 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R110CFDAFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 31.2A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V31.2 A99 mOhms3.5 V20 V118 nC- 40 C+ 150 C277.8 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R110CFDFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V31.2 A99 mOhms3.5 V20 V118 nC- 55 C+ 150 C277.8 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R125C7Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V18 A111 mOhms3 V20 V35 nC- 55 C+ 150 C101 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V18 A111 mOhms3 V20 V35 nC- 55 C+ 150 C101 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R150CFDInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 22.4A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V22.4 A135 mOhms3.5 V20 V86 nC- 55 C+ 150 C195.3 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R150CFDAFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 22.4A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V22.4 A150 mOhmsSingleCoolMOSTube
IPW65R150CFDFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 700V 22.4A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V22.4 A135 mOhms3.5 V20 V86 nC- 55 C+ 150 C195.3 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R190C7Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V13 A168 mOhms3 V20 V23 nC- 55 C+ 150 C72 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор HIGH POWER_NEWНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V13 A168 mOhms3 V20 V23 nC- 55 C+ 150 C72 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R190CFDInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V17.5 A190 mOhms4 V30 V68 nC151 WSingleCoolMOSTube
IPW65R190CFDAInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 17.5A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V17.5 A171 mOhms3.5 V20 V68 nC- 40 C+ 150 C151 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 17.5A TO247-3НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V17.5 A171 mOhms3.5 V20 V68 nC- 40 C+ 150 C151 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesМОП-транзистор 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS МОП-транзисторs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutatНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V17.5 A190 mOhms3.5 V20 V68 nC- 55 C+ 150 C151 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW65R420CFDInfineon TechnologiesМОП-транзистор N-Ch 650V 8.7A TO247-3 CoolMOS CFD2НетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V8.7 A420 mOhms4 V30 V32 nC83.3 WSingleCoolMOSTube
IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesМОП-транзистор 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS МОП-транзисторs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutatНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel650 V8.7 A420 mOhms3.5 V20 V31.5 nC- 55 C+ 150 C83.3 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW80R280P7XKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзисторНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel800 V17 A280 mOhms3 V30 V36 nC- 50 C+ 150 C101 WSingleEnhancementCoolMOSTube
IPW80R290C3AInfineon TechnologiesМОП-транзистор AUTOMOTIVEНетSiThrough HoleTO-247-31 ChannelN-Channel800 V290 mOhmsSingleCoolMOSTube
IPW80R290C3AXKSA1Infineon TechnologiesМОП-транзисторНетSiTube

Страницы