Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N5189Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетThrough HoleTO-39-3NPNSingle35 V60 V5 V1 V1 A250 MHz+ 200 C2N5189
2N5192 SL HCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40WНет2N519
2N5195 SL HCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40WНет2N519
2N5209Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V50 V4.5 V0.7 V0.05 A30 MHz- 65 C+ 150 C2N5209
2N5210Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V50 V4.5 V700 mV50 mA30 MHz+ 150 C2N5210
2N5225Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle25 V25 V4 V0.8 V50 MHz2N5225
2N5226Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3PNPSingle25 V25 V4 V50 MHz2N5226
2N5232ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle50 V70 V5 V125 mV100 mA- 65 C+ 150 C2N5232
2N5298Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Purp PowerНетThrough HoleTO-220-3NPN60 V80 V1 V4 A800 kHz- 65 C+ 150 C2N5298
2N5301Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Pwr AmpНетThrough HoleTO-3-2NPN40 V40 V4 V30 A4 MHz2N5301
2N5303Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Hi-Pwr AmpНетThrough HoleTO-3-2NPN80 V80 V2 V20 A2 MHz- 65 C+ 200 C2N5303
2N5320Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Ampl/SwitchНетThrough HoleTO-39-3NPN75 V100 V6 V700 mV2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5320
2N5322Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10WНетThrough HoleTO-39-3PNP75 V100 V6 V700 mV2 A50 MHz- 65 C+ 200 C2N5322
2N5336Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетThrough HoleTO-39-3NPNSingle80 V80 V6 V1.2 V5 A30 MHz+ 200 C2N5336
2N5337Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-39-32N5337
2N5366Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Switch AmpНетThrough HoleTO-92-3PNPSingle40 V40 V4 V1 V0.3 A250 MHz- 65 C+ 150 C2N5366
2N5367Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mWНетThrough HoleTO-92-3PNPSingle40 V40 V4 V1 V250 MHz- 65 C+ 150 C
2N5374Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJTНет2N5374
2N5400Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pr AmpНетThrough HoleTO-92-3PNPSingle120 V130 V5 V0.5 V0.6 A400 MHz- 65 C+ 150 C2N5400
2N5401Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pr AmpНетThrough HoleTO-92-3PNPSingle150 V160 V5 V0.5 V0.6 A300 MHz- 65 C+ 150 C2N5401
2N5415Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP High VoltageНетThrough HoleTO-39-3PNPSingle200 V200 V4 V2.5 V1 A- 65 C+ 150 C2N5415
2N5416Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP High VoltageНетThrough HoleTO-39-3PNPSingle300 V350 V6 V2 V1 A- 65 C+ 150 C2N5416
2N5447Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-92-32N5447
2N5550Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle140 V160 V6 V0.25 V0.6 A300 MHz- 65 C+ 150 C2N5550
2N5551Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Pur SSНетThrough HoleTO-92-3NPNSingle160 V180 V6 V0.2 V0.6 A300 MHz- 65 C+ 150 C2N5551

Страницы