Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
DXTN07025BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8NPNSingle25 V35 V7 V180 mV3 A3.1 W240 MHz- 55 C+ 175 C
DXTN07045DFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8NPNSingle45 V45 V7 V140 mV3 A3.1 W150 MHz- 55 C+ 175 C
DXTN07060BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8NPNSingle60 V80 V7 V200 mV3 A3.1 W175 MHz- 55 C+ 175 C
DXTN07100BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8NPNSingle100 V120 V7 V150 mV2 A3.1 W175 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP07025BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8PNPSingle- 25 V- 35 V- 7 V- 164 mV- 3 A3.1 W160 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP07040CFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8PNPSingle- 40 V- 50 V- 7 V- 200 mV- 3 A3.1 W100 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP07040CFGQ-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8PNPSingle- 40 V- 50 V- 7 V- 200 mV- 3 A3.1 W100 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP07060BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8PNPSingle- 60 V- 80 V- 7 V- 206 mV- 3 A3.1 W140 MHz- 55 C+ 175 C
DXTP07100BFG-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf TransistorНетSMD/SMTPowerDI3333-8PNPSingle- 100 V- 120 V- 7 V- 260 mV- 2 A3.1 W140 MHz- 55 C+ 175 C
MMDT2222A-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40V 200mWНетSMD/SMTSOT-363-6NPNDual40 V75 V6 V1 V0.6 A200 mW300 MHz- 55 C+ 150 CMMDT22
MMDT3946-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 40 / 40V 200mWНетSMD/SMTSOT-363-6NPN, PNPDual40 V40 V6 V0.3 V0.2 A200 mW300 MHz- 55 C+ 150 CMMDT39
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 160V 200mWНетSMD/SMTSOT-363-6NPNDual160 V180 V6 V0.2 V0.2 A200 mW300 MHz- 55 C+ 150 CMMDT55
MMSTA06Q-7-FDiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor SOT323 T&R 3KДаSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle80 V80 V4 V0.25 V500 mA200 mW100 MHz- 55 C+ 150 CMMSTA06Q
ZXTN25040DFHTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN 40V HIGH GAINНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V130 V7 V10 A1.25 W190 MHz- 55 C+ 150 CZXTN25040
ZXTN25100DGTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAINНетSMD/SMTSOT-223-4NPNSingle100 V180 V7 V3 A5300 mW175 MHz- 55 C+ 150 CZXTN25100
ZXTN4002ZTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1KНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle100 V7 V1 A+ 150 CZXTN400
ZXTP4003GTADiodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 100V PNP LED Driver HFE 100 -1A ICНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 100 V- 7 V- 1 A2 W- 55 C+ 150 CZXTP4
BC 857B E6327Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы - BJT PNP 45 V 100 mAНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle45 V50 V5 V250 mV200 mA330 mW250 MHz- 65 C+ 150 CBC857
MMBT2222ALT1HTSA1Infineon TechnologiesБиполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6AНетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle40 V75 V6 V1 V330 mW300 MHz- 65 C+ 150 CMMBT2222
BSS4130AHZGT116ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP,НетSMD/SMTSOT-23-3NPNSingle30 V30 V6 V90 mV2 A200 mW400 MHz- 55 C+ 150 C
BSS5130AHZGT116ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP,НетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 30 V- 30 V- 6 V- 100 mV- 2 A200 mW320 MHz- 55 C+ 150 C
BSS63AHZGT116ROHM SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMPНетSMD/SMTSOT-23-3PNPSingle- 100 V- 110 V- 6 V- 100 mV- 200 mA200 mW200 MHz- 55 C+ 150 C
2SA1182-GR,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP Transistor, VCEO=-30V, IC=-0.5A, hFE=200 to 400 in SOT-346 (S-Mini) packageНетSMD/SMTSC-59-3PNPSingle- 30 V- 35 V- 5 V- 0.1 V- 500 mA150 mW200 MHz- 55 C+ 125 C2SA1182
2SA1182-Y,LFToshibaБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistorНетSMD/SMTTO-236MOD-3PNP- 30 V- 35 V- 5 V- 0.25 V- 500 mA150 mW200 MHz2SA1182
2SA1312-BL(TE85L,FToshibaБиполярные транзисторы - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEOНетSMD/SMTSOT-346-3PNPSingle- 120 V- 120 V- 5 V- 0.3 V- 100 mA150 mW100 MHz2SA1312

Страницы