Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7649
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюВид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
NJVMJD243T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100V TRНетSMD/SMTDPAK-3NPNSingle100 V100 V7 V300 mV8 A40 MHz- 65 C+ 150 CMJD243
NJVMJD2955T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 10A 60V TRНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle60 V70 V5 V1.1 V10 A2 MHz- 55 C+ 150 CMJD2955
NJVMJD3055T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TRНетMJD3055
NJVMJD31CGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 100VНетSMD/SMTDPAK-3NPNSingle100 V100 V5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CMJD31
NJVMJD31CRLGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TRНетMJD31
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 100V TRНетThrough HoleDPAK-3NPN100 V5 V- 65 C+ 150 CMJD31
NJVMJD31CT4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TRНетThrough HoleDPAK-3NPN100 V5 V- 65 C+ 150 CMJD31
NJVMJD31T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TRНетSMD/SMTDPAK-3NPN100 V100 V5 V1.2 V3 MHz- 65 C+ 150 CMJD31
NJVMJD32CGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 3A 100VНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle- 100 V- 100 V- 5 V1.2 V5 A3 MHz- 65 C+ 150 CMJD32C
NJVMJD32T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TRНетMJD32
NJVMJD350T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.5A 300V TRНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle300 V300 V3 V1 V750 mA10 MHz- 65 C+ 150 CMJD350
NJVMJD42CRLGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TRНетMJD42C
NJVMJD42CT4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SILICON Pwr TRANSISTORНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle100 V100 V5 V6 A3 MHz- 65 C+ 150 CMJD42C
NJVMJD44H11D3T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SILICON POWER TRANSIНетMJD44H11
NJVMJD44H11GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 8A 80VНетSMD/SMTDPAK-3NPNSingle80 V5 V1 V85 MHz- 55 C+ 150 CMJD44H11
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 8A 80V TRНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle80 V5 V1 V16 A85 MHz- 55 C+ 150 CMJD44H11
NJVMJD44H11RLGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V TRНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle80 V5 V1 V16 A85 MHz- 55 C+ 150 CMJD44H11
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT SILICON Pwr TRANSISTORНетSMD/SMTTO-252-3NPNSingle80 V5 V1 V16 A85 MHz- 55 C+ 150 CMJD44H11
NJVMJD45H11D3T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 8A 80VНетMJD45H11
NJVMJD45H11GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 8A 80VНетSMD/SMTDPAK-3PNP80 V5 V1 V8 A90 MHz- 55 C+ 150 CMJD45H11
NJVMJD45H11RLGON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TRНетPNPMJD45H11
NJVMJD45H11T4G-VF01ON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TRНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle80 V5 V1 V16 A90 MHz- 55 C+ 150 CMJD45H11
NJVMJD45H11T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TRНетSMD/SMTDPAK-3PNPSingle80 V5 V1 V16 A90 MHz- 55 C+ 150 CMJD45H11
NJVMJD47T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 250V TRНетNPNMJD47
NJVMJD6039T4GON SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT BIP DPAK NPN 2A 80VНет

Страницы