Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXXH30N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH40N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power MOSFET Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH40N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH80N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXP12N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXX140N65B4H1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | Genx4 | 20 V | Through Hole | PLUS247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH100N65A3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH10N170C | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH12N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N170C | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH16N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH20N65C3D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH24N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120A4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120C4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH8N250CHV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH8N250CV1HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYK30N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYL40N250CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | ISOPLUS i5-Pak | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYP10N65B3D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 | Нет | Diode Power Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYP20N65C3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | Through Hole | TO-220AB-3 | Tube | ||||||||
IXYR100N65A3V1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY | Нет | Power Semiconductor Modules | Low Frequency | Through Hole | ISOPLUS-247-3 | Tube | ||||||||
IXYX40N250CHV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247PLUS-3 | + 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- следующая ›
- последняя »