Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M50100THC1600 | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 100Amps 600VAC THC Circuit Power Module | Нет | Power Semiconductor Modules | Rectifier Diode Module | 1.2 V | 1600 V | Screw Mount | M50 | - 40 C | + 125 C | M50 Diode Series | ||||
T483A | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули Power Module | Да | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
T483C | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули DIODE MODULE 240VAC 35ADC 600VP | Нет | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
T483F | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 35A BRIDG RECT MOD | Нет | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
T484F | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули Power Module | Да | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
T485C | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 50A BRIDG RECT MOD | Нет | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
T485F | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 50A BRIDG RECT MOD | Нет | Power Semiconductor Modules | PGFM | |||||||||||
D251N18BB01 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1800V 400A RECTIFIER | Нет | Power Semiconductor Modules | Rectifier Diode Module | 1800 V | SMD/SMT | D251 | Tray | |||||||
TT330N16KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 520A DUAL | Да | Power Semiconductor Modules | Phase Control | 1600 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 125 C | TT330N | Tray | ||||
DNA90YA2200NA | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWRDISC-RECTIFIER (MINIBLC) | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage Standard Rectifier | 1.23 V | 2.2 kV | Screw Mount | SOT-227B-4 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
DNA90YC2200NA | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWRDISC-RECTIFIER (MINIBLC) | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage Standard Rectifier | 1.23 V | 2.2 kV | Screw Mount | SOT-227B-4 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
IXXH110N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH140N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYA20N120A4HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | SMD/SMT | TO-263HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYA30N120A4HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | SMD/SMT | TO-263HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYA50N65C3-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXYA50N65C3 TRL | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXYA8N250CHV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-263HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH100N65A3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH10N170C | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH20N65C3D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120A4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH30N120C4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYH8N250CHV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Power Semiconductor Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYN300N65A3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX3 (MINI | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX3 | 20 V | Screw Mount | SOT-227B-4 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »