Флеш-память NAND

Партномер	Производитель	Описание	RoHS	Вид монтажа	Упаковка / блок	Размер памяти	Тип интерфейса	Организация	Тип синхронизации	Ширина шины данных	Напряжение питания - мин.	Напряжение питания - макс.	Напряжение питания - макс.	Минимальная рабочая температура	Максимальная рабочая температура	Упаковка
TC58NVG1S3HBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	2 Gbit	Parallel	256 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V		- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG1S3HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	2 Gbit	Parallel	256 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG1S3HTA00	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	2 Gbit	Parallel	256 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V		0 C	+ 70 C	Tray
TC58NVG1S3HTAI0	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	2 Gbit	Parallel	256 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG2S0FTA00	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 4Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	0 C	+ 70 C	Tray
TC58NVG2S0HBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG2S0HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG2S0HTA00	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	0 C	+ 70 C	Tray
TC58NVG2S0HTAI0	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG2S3EBAI5	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG2S3ETA00	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	0 C	+ 70 C	Tray
TC58NVG2S3ETAI0	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG3S0FBAID	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	8 Gbit	Parallel	1 G x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NVG3S0FTA00	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	8 Gbit	Parallel	1 G x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	0 C	+ 70 C	Tray
TC58NVG3S0FTAI0	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 32nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TSOP-48	8 Gbit	Parallel	1 G x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG0S3EBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	1 Gbit	Parallel	128 M x 8	Synchronous	8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG0S3HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	1 Gbit	Parallel	128 M x 8		8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG1S3EBAI5	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	2 Gbit	Parallel	256 M x 8	Synchronous	8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG1S3HBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	2 Gbit	Parallel	256 M x 8	Synchronous	8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG1S3HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	2 Gbit	Parallel	256 M x 8		8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG2S0HBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG2S0HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TC58NYG2S3EBAI5	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	1.7 V	1.95 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	TFBGA-63	4 Gbit	Parallel	512 M x 8	Synchronous	8 bit	2.7 V	3.6 V	30 mA	- 40 C	+ 85 C	Tray
TH58BVG2S3HBAI6	Toshiba Memory	Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Нет	SMD/SMT	VFBGA-67	4 Gbit	Parallel	512 M x 8		8 bit	2.7 V	3.6 V		- 40 C	+ 85 C	Tray

BGA-63
BGA-67
Die
FBGA-153
FBGA-63
FBGA-67
LBGA-100
LBGA-132
SOIC-16
SOP2-16
TBGA-100
TBGA-132
TBGA-24
TFBGA-24
TFBGA-63
TSOP-48
U-PDFN-8
VBGA-100
VBGA-132
VFBGA-48
VFBGA-63
VFBGA-67
WLCSP-48
WSON-8

IS34ML01G081
IS34ML01G084
IS34ML02G081
IS34ML02G084
IS34ML04G081
IS34ML04G084
IS34MW01G164
IS34MW02G084
IS34MW04G084
IS37SML01G1
MT29F
S34ML01G1
S34ML01G2
S34ML02G1
S34ML04G1
S34ML04G2
S34ML08G1
S34ML08G2
S34MS01G1
S34MS01G2
S34MS02G1
S34MS02G2
S34MS04G1
S34MS04G2
TC58CV
TC58CY
W25N01GV
W25N01GW
W25N01JW
W25N02JW
W25N512GV
W25N512GW
W29N01GW
W29N01GZ
W29N01HV
W29N01HW
W29N01HZ
W29N02GV
W29N02GW
W29N02GZ
W29N02KV
W29N04GV
W29N04GW
W29N04GZ
W29N08GV
W29N08GW
W29N08GZ

1 Gbit
1 TB
1 Tbit
1.125 Tbit
1.5 Tbit
128 GB
128 Gbit
16 Gbit
2 Gbit
2 Tbit
256 Gbit
32 GB
32 Gbit
384 Gbit
4 Gbit
4 Tbit
512 Gbit
512 Mbit
64 GB
64 Gbit
768 Gbit
8 GB
8 Gbit
8 Tbit

1 G x 1
1 G x 16
1 G x 8
1 M x 8
1 T x 8
1024 M x 8
128 G x 8
128 M x 16
128 M x 8
128 M x 8, 64 M x 16
144 G x 8
16 G x 8
192 G x 8
2 G x 1
2 G x 8
256 G x 8
256 M x 16
256 M x 8
256 M x 8, 128 M x 16
32 G x 8
4 G x 1
4 G x 8
48 G x 8
512 G x 8
512 M x 16
512 M x 8
512 M x 8, 256 M x 16
64 G x 8
64 M x 16
64 M x 8
8 G x 1
8 G x 8
96 G x 8

Вы здесь

Флеш-память NAND

Страницы

Страницы