Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GN120JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT120JRDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV3.2 V123 A600 nA570 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0007НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT60JRMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle600 V2.1 V148 A300 nA500 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT60JRDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle600 V2.1 V148 A300 nA500 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN60B2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle600 V1.45 V220 A600 nA536 WTO-247-3- 55 C+ 175 CTube
APT150GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GN60LDQ4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A,TO-264, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle600 V1.45 V220 A600 nA536 WTO-264-3- 55 C+ 175 CTube
APT150GT120JRMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.2 V170 A900 nA830 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT200GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT200GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT200GT60JRMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle600 V2 V195 A300 nA500 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT30GP60JDQ1Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V67 A100 nA245 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT35GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0036НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V55 A500 nA260 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT35GT120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0037НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V55 A500 nA260 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT40GL120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HOLD CC0102НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WISOTOP-4- 55 C+ 175 CTube
APT40GL120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0039НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V65 A400 nA220 WISOTOP-4- 55 C+ 175 CTube
APT40GP90JDQ2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle900 V3.2 V64 A100 nA284 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT46GA90JD40Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules900 V2.5 V87 A100 nA284 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120B2RGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V135 A100 nA781 WT-Max-3- 55 C+ 150 CTube

Страницы