РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Партномер	Производитель	Описание	RoHS	Тип транзистора	Технология	Усиление	Полярность транзистора	Vds - напряжение пробоя затвор-исток	Id - непрерывный ток утечки	Выходная мощность	Максимальное напряжение сток-затвор	Минимальная рабочая температура	Максимальная рабочая температура	Pd - рассеивание мощности	Вид монтажа	Упаковка / блок	Упаковка
J211-D74Z	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 25 V	20 mA		25 V	- 55 C	+ 150 C	350 mW	Through Hole	TO-92-3	Ammo Pack
MMBF4416	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 30 V	15 mA		30 V	- 55 C	+ 150 C	225 mW	SMD/SMT	SOT-23	Cut Tape, MouseReel, Reel
MMBF5484	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 25 V	5 mA		25 V	- 55 C	+ 150 C	225 mW	SMD/SMT	SOT-23-3	Cut Tape, MouseReel, Reel
MMBF5485	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 25 V	10 mA		25 V	- 55 C	+ 150 C	225 mW	SMD/SMT	SOT-23	Cut Tape, MouseReel, Reel
MMBF5486	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 25 V	20 mA		25 V	- 55 C	+ 150 C	225 mW	SMD/SMT	SOT-23	Cut Tape, MouseReel, Reel
MMBFJ211	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Нет	JFET	Si		N-Channel	- 25 V	20 mA		25 V	- 55 C	+ 150 C	225 mW	SMD/SMT	SOT-23	Cut Tape, MouseReel, Reel
CE3512K2-C1	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C	Нет		Si												Cut Tape, MouseReel, Reel
CE3514M4	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C	Нет	pHEMT	GaAs				10 mA			- 55 C	+ 125 C	125 mW	SMD/SMT		Bulk
CE3520K3	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C	Нет		GaAs												Bulk
CE3520K3-C1	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C	Нет		Si												Cut Tape, MouseReel, Reel
CE3521M4	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C	Нет		GaAs												Bulk
2N5952	Central Semiconductor	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering Hold	Да	JFET	Si		N-Channel	30 V			30 V	- 55 C	+ 150 C		Through Hole	TO-92-3	Bulk
QPD0050TR7	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48V	Нет		GaN	19.4 dB				75 W		- 40 C			SMD/SMT	DFN-6	Reel
QPD1013SR	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%	Нет	HEMT	GaN SiC	21.8 dB	N-Channel		1.7 A	178 W	65 V	- 40 C	+ 85 C	67 W	SMD/SMT	DFN-6	Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD1017	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET	Нет	HEMT	GaN SiC	15.7 dB	N-Channel		20 A	460 W	55 V	- 40 C	+ 85 C	511 W	SMD/SMT	17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
QPD1025L	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V	Нет	HEMT	GaN SiC	22.9 dB			28 A	1.5 kW	225 V	- 40 C	+ 85 C	758 W	SMD/SMT	NI-1230-4	Tray
QPD2194SR	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	Нет	HEMT	GaN SiC	19.1 dB	N-Channel			371 W	55 V	- 40 C	+ 85 C		SMD/SMT	NI400-2	Reel
QPD2195SR	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	Нет	HEMT	GaN SiC	20.4 dB	N-Channel			400 W	55 V	- 40 C			SMD/SMT	NI780-2	Reel
QPD2731SR	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty	Нет	HEMT	GaN SiC	16.3 dB	N-Channel			316 W	55 V	- 40 C	+ 85 C		SMD/SMT	NI780-4	Reel
T1G4020036-FL	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt	Нет	HEMT	GaN SiC	16 dB	N-Channel			260 W							Tray
T1G4020036-FS	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt	Нет	HEMT	GaN SiC	16 dB	N-Channel			260 W							Tray
T2G4003532-FL	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN	Нет	HEMT	GaN SiC	16 dB	N-Channel			30 W							Tray
T2G4003532-FS	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN	Нет	HEMT	GaN SiC		N-Channel			30 W							Tray
T2G4005528-FS	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless	Нет	HEMT	GaN SiC	16 dB	N-Channel			55 W							Tray
T2G6000528-Q3 28V	Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN	Нет	HEMT	GaN SiC												Tray

-
10 dB
10.4 dB
11 dB
11.5 dB
11.6 dB
12 dB
12.4 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.5 dB
14 dB
14.2 dB
14.5 dB
15 dB
15.7 dB
16 dB
16.1 dB
16.2 dB
16.3 dB
16.5 dB
17 dB
17.1 dB
17.4 dB
17.5 dB
17.7 dB
18 dB
18.2 dB
18.4 dB
18.5 dB
18.6 dB
19 dB
19.1 dB
19.2 dB
19.3 dB
19.4 dB
19.6 dB
19.9 dB
20 dB
20.3 dB
20.4 dB
20.5 dB
20.8 dB
21 dB
21.2 dB
21.7 dB
21.8 dB
22 dB
22.9 dB
23.9 dB
24 dB
9 dB

-
- 10 V to 2 V
- 10 V to 3 V
- 10 V, 2 V
- 10 V, 2 V
- 12 V
- 15 V
- 2.7 V
- 2.8 V
- 2.9 V
- 25 V
- 3 V
- 30 V
- 5 V
- 7 V
- 7 V to 1.5 V
- 7 V to 2 V
100 V
145 V
150 V
2.6 V
2.7 V
20 V
25 V
3 V
30 V

-
0.3 A
0.75 A
0.8 A
1 A
1.3 A
1.4 A
1.46 A
1.5 A
1.7 A
1.78 A
1.8 A
10 A
10 mA
10.4 A
12 A
12.6 A
129 mA
13 A
13.5 A
14 A
14 mA
15 A
15 mA
17 A
170 mA
18 A
194 mA
2 A
2.5 A
2.9 A
20 A
20 mA
210 mA
24 A
24 mA
25 mA
259 mA
28 A
290 mA
3 A
3.2 A
3.5 A
3.6 A
30 mA
326 mA
36 A
360 mA
375 mA
4 A
4.2 A
4.5 A
4.6 A
480 mA
5 A
5 mA
50 mA
517 mA
557 mA
58 mA
6 A
6.3 A
60 mA
600 mA
610 mA
650 mA
7 A
7.2 A
7.32 A
7.5 A
70 A
700 mA
8.7 A
80 mA
81 mA
817 mA
820 mA
950 mA

1.5 kW
10 W
100 W
11 W
12.5 W
120 W
131 W
132 W
14 W
15 W
162 W
17 W
170 W
178 W
180 W
19 W
2.4 W
20 W
200 W
22 W
220 W
24 W
240 W
25 W
250 W
260 W
30 W
316 W
320 W
330 W
340 W
350 W
36 W
364 W
371 W
38.4 dBm
4 W
4.8 W
40 W
400 W
41.6 dBm
44.5 dBm
45 W
450 W
46.4 dBm
460 W
47.6 dBm
48.6 dBm
5 W
510 W
540 W
55 W
6 W
6.9 W
60 W
600 W
680 W
7.2 W
70 W
75 W
76 W
8 W
8.7 W
80 W
800 W
85 W
890 W
9 W
90 W

-
1.4 W
10.5 W
11.6 W
117 W
12 W
12.5 W
125 mW
127 W
13 W
13.8 W
14 W
140 W
15.3 W
15.8 W
150 W
166 W
17 W
17.5 W
18.6 W
2.1 W
2.9 W
200 mW
21.6 W
225 mW
237 W
250 mW
27.6 W
28 W
28.8 W
288 W
33 W
34.5 W
350 mW
360 mW
370 W
4.2 W
41 W
41.6 W
45 W
49 W
5 W
5.1 W
5.6 W
511 W
52 W
522 W
53 W
56 W
60.9 W
64 W
640 mW
67 W
68 W
7.5 W
714 W
758 W
8.4 W
8.9 W
83.5 W
86 W
890 mW

17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
440109
440117
440162
440166
440193
440196
440199
440201
4402015
440210
440223
440224
CG2H30070F
DFN-12
DFN-6
DFN-8
Die
H-36248-2
H-37248-4
H-37265J-2
NI-1230-4
NI-360
NI400-2
NI780-2
NI780-4
PLD-1.5
PQFN-20
QFN-16
QFN-20
QFN-24
QFN-6
QFN-8
QFN-EP-16
QSOP-20
RF-565
SC-70-4
SMD-8
SOIC-8
SOT-23
SOT-23-3
SOT-89-3
TO-272
TO-92
TO-92-3

Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Страницы

Страницы