Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление сортировать по убываниюПолярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
NPT2022MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMTНетHEMTGaN Si21 dBN-Channel160 V3 V24 mA100 W- 40 C+ 85 CScrew MountTray
CGH09120FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 WattНетHEMTGaN21 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V28 A20 W28 V- 40 C+ 150 C56 WScrew MountTray
CGHV27030SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN21 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V3.6 A30 W50 V- 40 C+ 150 C12 WSMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD1881LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF TransistorНетHEMTGaN SiC21.2 dBN-Channel145 V- 7 V to 2 V13 A55 V- 40 C+ 85 C237 WSMD/SMTNI780-2
CGHV27015SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN21.2 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V1.78 A15 W50 V- 40 C+ 150 C5 WSMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD0030QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 45W GaN 48VНетGaN21.7 dB---45 W-- 40 C-45 WSMD/SMTQFN-20Cut Tape, Reel
QPD1013SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%НетHEMTGaN SiC21.8 dBN-Channel1.7 A178 W65 V- 40 C+ 85 C67 WSMD/SMTDFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD2795QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaNНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel48 V360 mA364 W55 V- 40 C+ 85 C83.5 WSMD/SMTNI780-2Waffle
QPD3601QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaNНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel50 V360 mA180 W55 V- 40 C+ 85 C60.9 WSMD/SMTNI400-2Waffle
GTVA220701FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA220701FA-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
QPD1025LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65VНетHEMTGaN SiC22.9 dB28 A1.5 kW225 V- 40 C+ 85 C758 WSMD/SMTNI-1230-4Tray
QPD1016QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF TransistorНетHEMTGaN SiC23.9 dBN-Channel145 V- 7 V to 1.5 V70 A680 W55 V- 40 C+ 85 C714 WSMD/SMTNI780-2
QPD1009QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaNНетHEMTGaN SiC24 dBN-Channel50 V145 V700 mA17 W- 40 C+ 85 C17.5 WSMD/SMTQFN-16Tray
QPD1022SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 10W 32V GaNНетHEMTGaN SiC24 dBN-Channel32 V- 2.8 V610 mA10 W- 40 C+ 85 C13.8 WSMD/SMTQFN-16Cut Tape, MouseReel, Reel
MAGX-011086Aeroflex / Metelics (MACOM)РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом M/A-COM Technology SolutionsДаHEMTGaN Si9 dBN-Channel28 V- 10 V to 3 V50 mA4 W- 40 C+ 85 CSMD/SMTQFN-24

Страницы