Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность сортировать по убываниюМаксимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
QPD1015LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaNНетHEMTGaN SiC20 dBN-Channel50 V145 V2.5 A70 W- 40 C+ 85 C64 WScrew MountNI-360Tray
CG2H30070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A70 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CGHV1J070D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 WattНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V6 A70 W+ 225 CSMD/SMTDieGel Pack
QPD0050TR7QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48VНетGaN19.4 dB75 W- 40 CSMD/SMTDFN-6Reel
CGHV35060MPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V10.4 A75 W50 V- 40 C+ 107 C52 WSMD/SMTReel
CGHV60075D5Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel150 V150 V10 A75 W---41.6 WSMD/SMTDieGel Pack
CGHV59070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V6.3 A76 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CGH60008D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A8 W----SMD/SMTDieWaffle
QPD1011SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 7W 50V GaNНетHEMTGaN SiC21 dBN-Channel50 V145 V1.46 A8.7 W55 V- 40 C+ 85 C13 WSMD/SMTSMD-8Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV96050F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V6 A80 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440210Tray
CGHV14800FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V24 A800 W-- 40 C+ 100 C-Screw Mount440117Tray
CG2H30070F-TB2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMTДаHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A85 W28 V- 40 C+ 150 CScrew MountCG2H30070FBulk
GTVA107001EC-V1-R250Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Reel
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
CGH40006PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMT440109Tray
QPD0060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48VНетGaN16.2 dB---90 W-- 40 C--SMD/SMTDFN-6Cut Tape, Reel

Страницы