Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки сортировать по убываниюВыходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
TGF2952QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBmНетHEMTGaN SiC20.4 dBN-Channel32 V480 mA38.4 dBm100 V- 65 C+ 150 C10.5 WSMD/SMTDieGel Pack
T2G6001528-SGQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiC15 dBN-Channel100 V5 A17 W28 WSMD/SMTTray
MMBF5484ON Semiconductor / FairchildРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF TransistorНетJFETSiN-Channel- 25 V5 mA25 V- 55 C+ 150 C225 mWSMD/SMTSOT-23-3Cut Tape, MouseReel, Reel
BFR31,235NXP SemiconductorsРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mAНетJFETSiN-Channel25 V25 V5 mA250 mWSMD/SMTSOT-23Cut Tape, MouseReel, Reel
2SK3557-6-TB-EON SemiconductorРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIERНетJFETSiN-Channel15 V- 15 V50 mA- 15 V+ 150 C200 mWSMD/SMTSOT-23-3Cut Tape, MouseReel, Reel
MAGX-011086Aeroflex / Metelics (MACOM)РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом M/A-COM Technology SolutionsДаHEMTGaN Si9 dBN-Channel28 V- 10 V to 3 V50 mA4 W- 40 C+ 85 CSMD/SMTQFN-24
TGF2160QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIEНетpHEMTGaAs10.4 dB12 V- 7 V517 mA- 65 C+ 150 C5.6 WSMD/SMTGel Pack
TGF3015-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaNНетHEMTGaN SiC17.1 dBN-Channel32 V- 2.7 V557 mA11 W15.3 WSMD/SMTQFN-EP-16Tray
TGF2018QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBmНетpHEMTGaAs14 dB8 V- 15 V58 mA12 V- 65 C+ 150 C640 mWSMD/SMTGel Pack
CG2H40045FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V6 A45 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tray
CG2H80060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V6 A60 W-+ 225 C-SMD/SMTDieGel Pack
CGH40045FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A55 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGH60060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A60 W----SMD/SMTDieWaffle
CGHV1J070D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 WattНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V6 A70 W+ 225 CSMD/SMTDieGel Pack
CGHV96050F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V6 A80 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440210Tray
CGHV27060MPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 WattНетHEMTGaN18.5 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V6.3 A60 W-- 40 C+ 90 C-SMD/SMTQSOP-20Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV59070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V6.3 A76 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
MMBFJ310ON Semiconductor / FairchildРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF TransistorНетJFETSiN-Channel25 V- 25 V60 mA- 55 C+ 150 C350 mWSMD/SMTSOT-23Cut Tape, MouseReel, Reel
TGF2965-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32VНетHEMTGaN SiC18 dBP-Channel32 V- 2.7 V600 mA6 W---7.5 WSMD/SMTQFN-16Tray
QPD1022SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 10W 32V GaNНетHEMTGaN SiC24 dBN-Channel32 V- 2.8 V610 mA10 W- 40 C+ 85 C13.8 WSMD/SMTQFN-16Cut Tape, MouseReel, Reel
T2G6000528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHzНетHEMTGaN SiC15 dBN-Channel--650 mA10 W---12.5 WSMD/SMTTray
CGH27030FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V7 A30 W28 V- 40 C+ 150 C14 WScrew Mount440196Tray
CGH27030PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V7 A30 W28 V- 40 C+ 150 C14 WSMD/SMT440196Bulk
CGH27030SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel84 V- 10 V, 2 V7 A30 W28 V- 40 C+ 150 C21.6 WSMD/SMTCut Tape, MouseReel, Reel
TGF2929-HMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaNНетHEMTGaN SiC17.4 dBN-Channel50 V- 2.8 V7.2 A132 W- 40 C+ 85 C140 WSMD/SMTWaffle

Страницы