Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток сортировать по убываниюVds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CGH60060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A60 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60120D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A120 W----SMD/SMTDieWaffle
CGHV40180FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMTНетHEMTGaN20.3 dBN-Channel125 V- 10 V, 2 V18 A180 W-- 40 C+ 150 C150 WScrew Mount440223Tray
CGHV59350FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 WattНетHEMTGaN11 dB125 V- 10 V, 2 V450 W- 40 C+ 85 CSMD/SMTTray
QPD1016QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF TransistorНетHEMTGaN SiC23.9 dBN-Channel145 V- 7 V to 1.5 V70 A680 W55 V- 40 C+ 85 C714 WSMD/SMTNI780-2
QPD1018QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFETНетHEMTGaN SiC17.7 dBN-Channel145 V- 7 V to 2 V15 A55 V- 40 C+ 85 C522 WSMD/SMT17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
QPD1881LQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF TransistorНетHEMTGaN SiC21.2 dBN-Channel145 V- 7 V to 2 V13 A55 V- 40 C+ 85 C237 WSMD/SMTNI780-2
2SK3557-6-TB-EON SemiconductorРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIERНетJFETSiN-Channel15 V- 15 V50 mA- 15 V+ 150 C200 mWSMD/SMTSOT-23-3Cut Tape, MouseReel, Reel
QPD1019QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFETНетHEMTGaN SiC16.3 dBN-Channel150 V- 7 V to 2 V15 A55 V- 40 C+ 85 C522 WSMD/SMT17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
CGHV14250FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 WattНетHEMTGaN18.6 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V18 A330 W-- 40 C+ 130 C-Screw Mount440162Tube
CGHV14500FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 WattНетHEMTGaN17.1 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V36 A510 W-- 40 C+ 130 C-Screw Mount440117Tube
CGHV14800FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V24 A800 W-- 40 C+ 100 C-Screw Mount440117Tray
CGHV27015SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN21.2 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V1.78 A15 W50 V- 40 C+ 150 C5 WSMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV27030SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN21 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V3.6 A30 W50 V- 40 C+ 150 C12 WSMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV27060MPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 WattНетHEMTGaN18.5 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V6.3 A60 W-- 40 C+ 90 C-SMD/SMTQSOP-20Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV35060MPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V10.4 A75 W50 V- 40 C+ 107 C52 WSMD/SMTReel
CGHV35150FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 WattНетHEMTGaN13.3 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V12 A170 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGHV40100FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 WattНетHEMTGaN11 dBN-Channel150 V2.7 V8.7 A100 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGHV40200PPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 WattНетHEMTGaN16.1 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V8.7 A250 W-- 40 C+ 150 C166 WScrew Mount440199Tray
CGHV50200FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 WattНетHEMTGaN11.5 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V17 A180 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount4402015Tray
CGHV59070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V6.3 A76 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CGHV60075D5Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel150 V150 V10 A75 W---41.6 WSMD/SMTDieGel Pack
GTVA104001FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400WНетHEMTGaN SiC19 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V4.6 A400 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA107001EC-V1-R250Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Reel
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel

Страницы