Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток сортировать по убываниюId - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
TGF2942QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaNНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel--170 mA2.4 W-- 40 C+ 85 C2.9 WSMD/SMTGel Pack
CGHV40320D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 WattНетHEMTGaN-N-Channel50 V--320 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV60040DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-3.2 A40 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV60170DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-12.6 A170 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGH35240FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 WattНетHEMTGaN11.6 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V24 A240 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440201Tray
CGH40006PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMT440109Tray
CGH40006SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A6.9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTQFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
CGH40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A12.5 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tube
CGH40025FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V3 A30 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tube
CGH40035FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V4.5 A45 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tray
CGH40045FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A55 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGH40090PPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 WattНетHEMTGaN12.5 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A100 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440199Tube
CGH40120FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 WattНетHEMTGaN19 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A120 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGH40180PPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 WattНетHEMTGaN19 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V24 A220 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440199Tube
CGH55015F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CGH55030F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V3 A25 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CGH60008D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A8 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60015D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A15 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60030D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V3 A30 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A60 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60120D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A120 W----SMD/SMTDieWaffle
CGHV14250FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 WattНетHEMTGaN18.6 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V18 A330 W-- 40 C+ 130 C-Screw Mount440162Tube
CGHV14500FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 WattНетHEMTGaN17.1 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V36 A510 W-- 40 C+ 130 C-Screw Mount440117Tube
CGHV14800FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V24 A800 W-- 40 C+ 100 C-Screw Mount440117Tray
CGHV1F006SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-18GHz, 6 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V950 mA6 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel

Страницы