Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток сортировать по убываниюVds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
T2G6001528-Q3QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaNНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangedНетHEMTGaN SiCTray
T2G6003028-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN FlangelessНетHEMTGaN SiCTray
TGF2023-2-01QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-02QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-05QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-10QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-20QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаSiReel
SKY65050-372LFSkyworks Solutions, Inc.РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHzНетpHEMTGaAsN-Channel- 40 C+ 85 CSMD/SMTSC-70-4Cut Tape, MouseReel, Reel
NPT1010BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaNНетGaN SiTray
NPT25100BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaNНетGaN SiBulk
NPTB00025BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMTНетGaN SiTray
XF1001-SC-EV1MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval ModuleНетSi
CG2H40120FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120WНетHEMTGaNN-Channel120 WFlange MountTray
CG2H80120D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120WНетHEMTGaNN-Channel120 WSMD/SMTDieGel Pack
CGH40120PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 WattНетGaNTube
CGH55015F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 WattНетGaNTray
CGH55030F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 WattНетGaNTray
CGHV35400FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 WattНетSiTray
CGHV40050FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 WattНетGaNTray
CGHV96050F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетTray
QPD0030QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 45W GaN 48VНетGaN21.7 dB---45 W-- 40 C-45 WSMD/SMTQFN-20Cut Tape, Reel
QPD0060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48VНетGaN16.2 dB---90 W-- 40 C--SMD/SMTDFN-6Cut Tape, Reel

Страницы