Всего результатов: 191
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Тип транзистора | Технология | Усиление | Полярность транзистора | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Vds - напряжение пробоя затвор-исток | Id - непрерывный ток утечки | Выходная мощность | Максимальное напряжение сток-затвор | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Pd - рассеивание мощности | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
T2G6001528-SG | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | Нет | HEMT | GaN SiC | 15 dB | N-Channel | 100 V | 5 A | 17 W | 28 W | SMD/SMT | Tray | |||||||
T2G6003028-FL | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
T2G6003028-FS | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | Нет | HEMT | GaN SiC | Tray | ||||||||||||||
TGF2023-2-01 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-02 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-05 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-10 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2023-2-20 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | Нет | HEMT | GaN SiC | N-Channel | Die | Gel Pack | ||||||||||||
TGF2952 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 20.4 dB | N-Channel | 32 V | 480 mA | 38.4 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 10.5 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2953 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 18.2 dB | N-Channel | 32 V | 820 mA | 41.6 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 17 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2954 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.6 dB | N-Channel | 32 V | 1.7 A | 44.5 dBm | - 65 C | + 150 C | 34.5 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | ||||
TGF2955 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.2 dB | N-Channel | 32 V | 2.5 A | 46.4 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 41 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2956 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.3 dB | N-Channel | 32 V | 3.5 A | 47.6 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 53 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
TGF2957 | Qorvo | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm | Нет | HEMT | GaN SiC | 19.2 dB | N-Channel | 32 V | 4.2 A | 48.6 dBm | 100 V | - 65 C | + 150 C | 68 W | SMD/SMT | Die | Gel Pack | |||
A2G22S160-01SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V | Нет | Si | Reel | |||||||||||||||
A2G26H280-04SR3 | NXP / Freescale | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | Да | Si | Reel | |||||||||||||||
SKY65050-372LF | Skyworks Solutions, Inc. | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz | Нет | pHEMT | GaAs | N-Channel | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | SC-70-4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||||||||
MAAM-009455-TR1000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Нет | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
MAAM-009455-TR3000 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | Нет | MESFET | GaAs | 20.5 dB | 8 V | 375 mA | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | PQFN-20 | Reel | |||||||
MAGX-000040-0050TP | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | Нет | HEMT | GaN SiC | 13.5 dB | N-Channel | 50 V | 0.3 A | 5 W | - 40 C | + 95 C | 12 W | SMD/SMT | SOT-89-3 | Reel | ||||
NPT1010B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN | Нет | GaN Si | Tray | |||||||||||||||
NPT25100B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN | Нет | GaN Si | Bulk | |||||||||||||||
NPTB00004A | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT | Нет | HEMT | GaN Si | 16 dB | N-Channel | 100 V | 1.4 A | + 200 C | 11.6 W | SMD/SMT | SOIC-8 | Tray | ||||||
NPTB00025B | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT | Нет | GaN Si | Tray | |||||||||||||||
XF1001-SC-EV1 | MACOM | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module | Нет | Si |