Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 191
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура сортировать по убываниюPd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
TGF2023-2-02QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-05QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-10QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF2023-2-20QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dBНетHEMTGaN SiCN-ChannelDieGel Pack
TGF3015-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaNНетHEMTGaN SiC17.1 dBN-Channel32 V- 2.7 V557 mA11 W15.3 WSMD/SMTQFN-EP-16Tray
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаSiReel
NPT1010BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaNНетGaN SiTray
NPT25100BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaNНетGaN SiBulk
NPTB00025BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMTНетGaN SiTray
XF1001-SC-EV1MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval ModuleНетSi
CG2H40120FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120WНетHEMTGaNN-Channel120 WFlange MountTray
CG2H80120D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120WНетHEMTGaNN-Channel120 WSMD/SMTDieGel Pack
CGH40120PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 WattНетGaNTube
CGH55015F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 WattНетGaNTray
CGH55030F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 WattНетGaNTray
CGHV35400FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 WattНетSiTray
CGHV40050FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 WattНетGaNTray
CGHV96050F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетTray
GTVA104001FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400WНетHEMTGaN SiC19 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V4.6 A400 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA107001EC-V1-R250Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Reel
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA123501FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V15 A350 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA126001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A600 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
CGHV14800FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V24 A800 W-- 40 C+ 100 C-Screw Mount440117Tray

Страницы