Всего результатов: 904
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Вид монтажа | Упаковка / блок | Серия | Размер памяти | Тип интерфейса | Организация | Тип синхронизации | Ширина шины данных | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S34MS04G100TFI000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND 4Gb, 1.8V, 45ns Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | S34MS04G1 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
S34MS04G200BHI000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND 4G, 3V, 45ns Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
S34MS04G204BHI010 | Cypress Semiconductor | Флеш-память NAND 4G, 3V, 45ns Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 256 M x 16 | Asynchronous | 16 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
S34MS04G204TFI010 | Cypress Semiconductor | Флеш-память NAND 4G, 3V, 45ns Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 256 M x 16 | Asynchronous | 16 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
IS34ML04G084-TLI-TR | ISSI | Флеш-память NAND 4G 3.3V x8 Флеш-память NAND | Да | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34ML04G084 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Reel | |||
IS34MW04G084-TLI-TR | ISSI | Флеш-память NAND 4G 1.8V x8 Флеш-память NAND | Да | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34MW04G084 | 4 Gbit | Parallel | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Reel | ||||
IS34ML04G081-TLI | ISSI | Флеш-память NAND 4G 3V x8 1-bit Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34ML04G081 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | ||||
IS34ML04G081-TLI-TR | ISSI | Флеш-память NAND 4G 3.3V x8 Флеш-память NAND Q100 | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34ML04G081 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Reel | |||
IS34ML04G084-TLI | ISSI | Флеш-память NAND 4G 3V x8 4-bit Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34ML04G084 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||
IS34MW04G084-TLI | ISSI | Флеш-память NAND 4G 1.8V x8 4-bit Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | IS34MW04G084 | 4 Gbit | Parallel | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Bulk | ||||
MT29F4T08EUHAFM4-3R:A TR | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 4 Tbit | Parallel | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||
MT29F4T08EUHAFM4-3R:A | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | Die | MT29F | 4 Tbit | Parallel | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | LBGA-132 | MT29F | 4 Tbit | Parallel | 512 G x 8 | 8 bit | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EUHBFM4-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EUHBFM4-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EUHBFM4-T:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 LBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F4T08EQHBFG8-R:B TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F4T08EQHBFG8-R:B | Micron | Флеш-память NAND TLC 4T 512GX8 FBGA 8DP | Нет | SMD/SMT | MT29F | 4 Tbit | 512 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||||
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR | Micron | Флеш-память NAND MLC 512G 64GX8 VBGA DDP | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | Parallel | 64 G x 8 | 8 bit | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 VBGA DDP | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | Parallel | 64 G x 8 | 8 bit | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 VBGA DDP | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | Parallel | 64 G x 8 | 8 bit | 0 C | + 70 C | Reel | ||||||
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 VBGA | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | 64 G x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel | ||||
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A | Micron | Флеш-память NAND TLC 512G 64GX8 VBGA | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | 64 G x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR | Micron | Флеш-память NAND | Нет | SMD/SMT | VBGA-132 | MT29F | 512 Gbit | 64 G x 8 | 8 bit | 2.5 V | 3.6 V | 0 C | + 70 C | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »