Всего результатов: 1699
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT10045B2FLLG | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Through Hole | T-MAX-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT10045LFLLG | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, FREDFET,1000V, TO-264, RoHS | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT10045LLLG | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APTM50H15FT1G | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули DOR CC8031 | Нет | Power MOSFET Modules | Full Bridge | 30 V | Through Hole | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
STIB1060DM2T-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 10 A, 0.20 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 | Нет | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | 0.98 V | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | STIB1060DM2T-L | Tube | ||||
STIB1560DM2-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SDIP2B-26L | Да | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 150 C | STIB1560DM2T-L | Tube | |||||
STIB1560DM2T-L | STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые модули SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 15 A, 0.150 Ohm max, 600 V MDmesh DM2 | Нет | Power MOSFET Modules | 3-Phase Inverter | 0.98 V | Through Hole | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | STIB1560DM2T-L | Tube | ||||
DDB6U100N16RR | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 100A UN-CNTL | Да | Discrete Semiconductor Module | 1600 V | Through Hole | DDB6 | Tray | ||||||||
DDB6U104N16RR | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 105A UN-CNTL | Да | Diode Module | Through Hole | DDB6 | Tray | |||||||||
DDB6U144N16R | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 145A UN-CNTL | Да | Discrete Semiconductor Module | 1600 V | Through Hole | DDB6 | Tray | ||||||||
DDB6U205N16L | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 205A UN-CNTL | Нет | Diode Power Modules | Rectifier Diode Module | 1.47 V | 1600 V | Through Hole | DDB6 | - 40 C | + 150 C | DDB6U | Tray | |||
DDB6U215N16L | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 215A UN-CNTL | Нет | Diode Power Modules | Rectifier Diode Module | 1800 V | Through Hole | DDB6 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
DDB6U84N16RR | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 85A UN-CNTL | Да | Diode Power Modules | Rectifier Diode Module | 1.55 V | 1600 V | Through Hole | DDB6 | - 40 C | + 150 C | DDB6U | Tray | |||
DDB6U85N16L | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 85A UN-CNTL | Да | Diode Power Modules | Rectifier Diode Module | 1.44 V | 1600 V | Through Hole | DDB6 | - 40 C | + 150 C | DDB6U | Tray | |||
TDB6HK124N16RR | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 70A HF-CNTL | Да | Thyristor Power Modules | Rectifier Diode Module | 1.35 V | 1600 V | Through Hole | TDB6 | - 40 C | + 125 C | TDB6HK | Tray | |||
TDB6HK135N16LOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 100A HF-CNTL | Да | Thyristor Power Modules | Phase Control | 1600 V | Through Hole | TDB6 | - 40 C | + 125 C | TTB6C | Tray | ||||
TDB6HK165N16LOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 120A HF-CNTL | Да | Phase Control | 1600 V | Through Hole | TDB6 | Tray | ||||||||
TDB6HK95N16LOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1600V 75A HF-CNTL | Нет | Thyristor Power Modules | Phase Control | 1600 V | Through Hole | TDB6 | - 40 C | + 125 C | TTB6C | Tray | ||||
CLA20EF1200PB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR THY-OTHERS TO-220AB / TO-2 | Нет | Thyristor Power Modules | High Efficiency Thyristor | 1.6 V | Through Hole | TO-220-3 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||||
CNA30E2200FB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR THYRISTOR -OTHERS I4-PAC | Нет | Thyristor Power Modules | Through Hole | ISOPLUS i4-Pac-3 | - 10 C | + 70 C | Tube | |||||||
DFE25I600HA | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWRDIODE -FRED TO-247AD | Нет | Diode Power Modules | Fred | 1.03 V | Through Hole | TO-247-2 | - 55 C | + 125 C | Tube | |||||
DFE60C600AHB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWRDIODE -FRED TO-247AD | Нет | Diode Power Modules | Through Hole | TO-247-2 | ||||||||||
DPF30I600AHA | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED | Нет | Diode Power Modules | Through Hole | TO-247-2 | Tube | |||||||||
DSEI25-06A | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED TO-220AC | Нет | Diode Power Modules | 1.05 V | 600 V | Through Hole | TO-220-2 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||||
DSEP29-12B | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули PWR DISC-FRED TO-220AC | Нет | Diode Power Modules | Fast Recovery | 4.66 V | 1200 V | Through Hole | TO-220-2 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »