Всего результатов: 1775
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CAS120M12BM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module | Нет | Power Semiconductor Modules | H-Bridge MOSFET Module | - | - | Screw Mount | Module | - | Bulk | |||||
CAS300M12BM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module | Нет | Power Semiconductor Modules | H-Bridge MOSFET Module | - | - | Screw Mount | Module | - | Bulk | |||||
CAS300M17BM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули 1700V, 300A, SiC Half Bridge Module | Нет | Power Semiconductor Modules | H-Bridge MOSFET Module | - | - | Screw Mount | Module | - | Bulk | |||||
CCS020M12CM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 20A, SiC Six pack Module | Нет | Power Semiconductor Modules | Six-Pack | - | - | Through Hole | Six-Pack-28 | - | Bulk | |||||
CCS050M12CM2 | Wolfspeed / Cree | Дискретные полупроводниковые модули 1200V, 50A, SiC Six pack Module | Нет | Power Semiconductor Modules | Six-Pack | - | - | Through Hole | Six-Pack-28 | - | CCS050M12CM2 | |||||
FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули | Нет | Diode Power Modules | Diode, Inverter | 1.95 V | Screw Mount | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||||
IXTN600N04T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET | Нет | TrenchT2 GigaMOS | SMD/SMT | SOT-227B | - 55 C | + 175 C | IXTN600N04 | Tube | ||||||
IXTP140N12T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTP230N04T4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T4 | 10 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTP230N04T4M | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T4 | 10 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTP48N20TM | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTP80N12T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ130N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ60N10T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 30 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ60N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTT140N10P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT140N10P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | PolarHT | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTT96N20P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT96N20P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | PolarHT | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTY44N10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY44N10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTY64N055T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY64N055T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchMV | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTY90N055T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTY90N055T2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY90N055T2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXXH110N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH140N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »